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闪存及其制作方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202510396999.4
申请日
:
2025-03-31
公开(公告)号
:
CN120264759A
公开(公告)日
:
2025-07-04
发明(设计)人
:
严强生
任媛媛
申请人
:
上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请人地址
:
201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区祖冲之路1399号
IPC主分类号
:
H10B41/30
IPC分类号
:
H10B41/42
代理机构
:
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237
代理人
:
顾丹丽
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
上海市
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2025-07-22
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):H10B 41/30申请日:20250331
2025-07-04
公开
公开
共 50 条
[1]
闪存及其制作方法
[P].
严强生
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
上海华虹宏力半导体制造有限公司
上海华虹宏力半导体制造有限公司
严强生
;
张连宝
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机构:
上海华虹宏力半导体制造有限公司
上海华虹宏力半导体制造有限公司
张连宝
;
任媛媛
论文数:
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0
机构:
上海华虹宏力半导体制造有限公司
上海华虹宏力半导体制造有限公司
任媛媛
.
中国专利
:CN120897454A
,2025-11-04
[2]
闪存器件及其制作方法
[P].
杜怡行
论文数:
0
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杜怡行
;
王壮壮
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王壮壮
;
王虎
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0
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王虎
;
姚春
论文数:
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0
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姚春
.
中国专利
:CN115411045A
,2022-11-29
[3]
闪存器件及其制作方法
[P].
刘涛
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刘涛
;
梁志彬
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梁志彬
;
张松
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张松
;
金炎
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金炎
;
王德进
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王德进
.
中国专利
:CN108257964A
,2018-07-06
[4]
闪存结构及其制作方法
[P].
曹子贵
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机构:
上海华虹宏力半导体制造有限公司
上海华虹宏力半导体制造有限公司
曹子贵
.
中国专利
:CN116234313B
,2025-08-29
[5]
NORD闪存及其制作方法
[P].
徐然
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徐然
;
徐晓俊
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徐晓俊
;
熊伟
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熊伟
;
陈华伦
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陈华伦
.
中国专利
:CN111696991B
,2020-09-22
[6]
NOR闪存及其制作方法
[P].
蔡彬
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蔡彬
;
陈昊瑜
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陈昊瑜
;
王奇伟
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王奇伟
.
中国专利
:CN108133938A
,2018-06-08
[7]
闪存及其制作方法
[P].
张连宝
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机构:
上海华虹宏力半导体制造有限公司
上海华虹宏力半导体制造有限公司
张连宝
.
中国专利
:CN119255606A
,2025-01-03
[8]
闪存器件的制作方法
[P].
徐杰
论文数:
0
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徐杰
;
高超
论文数:
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高超
;
杜怡行
论文数:
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0
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0
杜怡行
.
中国专利
:CN111129020A
,2020-05-08
[9]
闪存的制作方法
[P].
李天慧
论文数:
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李天慧
;
潘晶
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潘晶
;
王琪
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王琪
;
宁先捷
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0
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宁先捷
.
中国专利
:CN104716098A
,2015-06-17
[10]
闪存器件及其制作方法
[P].
陈建奇
论文数:
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陈建奇
.
中国专利
:CN112530963A
,2021-03-19
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