功率二极管及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202210423426.2

申请日：

2022-04-21

公开(公告)号：

CN114975639B

公开(公告)日：

2025-07-11

发明(设计)人：

王群龚逸品李鹏王江波

申请人：

京东方华灿光电（浙江）有限公司

申请人地址：

322000 浙江省金华市义乌市苏溪镇苏福路233号

IPC主分类号：

H10D8/60

IPC分类号：

H10D8/01 H10D62/10 H10D62/85 H10D62/824

代理机构：

北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138

代理人：

吕耀萍

法律状态：

授权

国省代码：

浙江省金华市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-07-11	授权	授权

共 50 条

[1]

功率二极管及其制备方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN109411548A ,2019-03-01

[2]

功率二极管及其制备方法 [P].

金锐 ;

和峰 ;

刘江 ;

李翠 .

中国专利 :CN117747673A ,2024-03-22

[3]

功率二极管及其制备方法 [P].

李理 .

中国专利 :CN118969858A ,2024-11-15

[4]

功率二极管及其制备方法 [P].

宋旋坤 ;

李辉斌 ;

周璇 ;

陈唯一 .

中国专利 :CN119133256A ,2024-12-13

[5]

功率二极管及其制备方法 [P].

李理 .

中国专利 :CN118969858B ,2024-12-31

[6]

功率二极管及其制备方法 [P].

金锐 ;

和峰 ;

刘江 ;

李翠 .

中国专利 :CN117747673B ,2024-05-03

[7]

肖特基二极管及其制备方法 [P].

刘新科 ;

利健 ;

林峰 ;

陈勇 ;

贺威 ;

宋利军 ;

吕有明 .

中国专利 :CN112466926A ,2021-03-09

[8]

二极管及其制备方法 [P].

朱伟民 ;

马晓辉 .

中国专利 :CN114335150A ,2022-04-12

[9]

肖特基二极管及其制备方法、半导体功率器件 [P].

冉军学 ;

魏同波 ;

闫建昌 ;

王军喜 .

中国专利 :CN110071177A ,2019-07-30

[10]

功率二极管及其制造方法 [P].

蔡捷弘 ;

曾清秋 ;

郑鸿龙 .

中国专利 :CN1832205A ,2006-09-13

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