发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202211473079.0

申请日：

2022-11-21

公开(公告)号：

CN115939270B

公开(公告)日：

2025-07-15

发明(设计)人：

印从飞张彩霞刘春杨胡加辉金从龙

申请人：

江西兆驰半导体有限公司

申请人地址：

330000 江西省南昌市南昌高新技术产业开发区天祥北大道1717号

IPC主分类号：

H10H20/01

IPC分类号：

H10H20/812 H10H20/816 H10H20/825

代理机构：

广州三环专利商标代理有限公司 44202

代理人：

李素兰

法律状态：

授权

国省代码：

河北省保定市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-07-15	授权	授权

共 50 条

[1]

发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 [P].

印从飞 ;

张彩霞 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN117393671A ,2024-01-12

[2]

发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 [P].

印从飞 ;

张彩霞 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN117393671B ,2024-03-08

[3]

发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 [P].

印从飞 ;

张彩霞 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN117423786A ,2024-01-19

[4]

发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 [P].

舒俊 ;

程龙 ;

高虹 ;

郑文杰 ;

印从飞 ;

张彩霞 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN117542937A ,2024-02-09

[5]

发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 [P].

舒俊 ;

程龙 ;

高虹 ;

郑文杰 ;

印从飞 ;

张彩霞 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN117913191A ,2024-04-19

[6]

发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 [P].

程金连 ;

张彩霞 ;

印从飞 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN115528153A ,2022-12-27

[7]

发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 [P].

舒俊 ;

程龙 ;

高虹 ;

郑文杰 ;

印从飞 ;

张彩霞 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN117913191B ,2024-05-17

[8]

发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 [P].

印从飞 ;

张彩霞 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN117691015A ,2024-03-12

[9]

发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 [P].

印从飞 ;

张彩霞 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN117525232A ,2024-02-06

[10]

发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 [P].

印从飞 ;

张彩霞 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN117525232B ,2024-03-29

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