一种基于嵌套型柱锥结构的超表面截止吸收器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510499576.5

申请日：

2025-04-21

公开(公告)号：

CN120214988A

公开(公告)日：

2025-06-27

发明(设计)人：

钱沁宇孙静静程立文王钦华

申请人：

扬州大学

申请人地址：

225000 江苏省扬州市市辖区大学南路88号

IPC主分类号：

G02B5/00

IPC分类号：

G02B1/00 G02B5/22

代理机构：

南京启扬知识产权代理事务所(普通合伙) 32703

代理人：

陈栋智

法律状态：

公开

国省代码：

江苏省扬州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-06-27	公开	公开
2025-07-15	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):G02B 5/00申请日:20250421

共 50 条

[1]

一种基于纳米方锥结构的超表面截止吸收器 [P].

钱沁宇 ;

杨晔 ;

王钦华 .

中国专利 :CN118915208A ,2024-11-08

[2]

一种超表面多层纳米锥阵列截止吸收器 [P].

马志博 ;

钱沁宇 ;

樊莉 ;

王钦华 .

中国专利 :CN120178398A ,2025-06-20

[3]

一种基于纳米立方结构的超表面截止吸收器 [P].

杨晔 ;

钱沁宇 ;

樊莉 ;

王钦华 .

中国专利 :CN118970475A ,2024-11-15

[4]

一种基于纳米圆台结构的超表面截止吸收器 [P].

钱沁宇 ;

方慕义 ;

王钦华 .

中国专利 :CN118795581A ,2024-10-18

[5]

一种基于纳米十字型结构的超表面截止吸收器 [P].

方慕义 ;

钱沁宇 ;

陈海涛 ;

王钦华 .

中国专利 :CN119126276A ,2024-12-13

[6]

一种基于多层叠合棱柱棱台结构的超表面截止吸收器 [P].

孙静静 ;

方慕义 ;

钱沁宇 ;

王钦华 .

中国专利 :CN121028258A ,2025-11-28

[7]

一种亚波长多层纳米锥二维阵列截止吸收器 [P].

樊莉 ;

马志博 ;

钱沁宇 ;

王钦华 .

中国专利 :CN119087563A ,2024-12-06

[8]

一种基于L型结构的宽带太赫兹超材料吸收器 [P].

严辉 ;

吕晶 ;

袁瑞玚 ;

宋雪梅 ;

耿超 ;

张铭 ;

王如志 ;

汪浩 ;

王波 ;

侯育冬 ;

朱满康 ;

刘晶冰 .

中国专利 :CN104360424A ,2015-02-18

[9]

一种基于树枝结构的超材料吸收器 [P].

赵晓鹏 ;

朱卫仁 .

中国专利 :CN101765358A ,2010-06-30

[10]

基于半导体超表面结构的三频带近红外吸收器 [P].

刘正奇 ;

刘桂强 ;

刘晓山 .

中国专利 :CN106711271A ,2017-05-24

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