发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311870562.7

申请日：

2023-12-29

公开(公告)号：

CN117810329B

公开(公告)日：

2025-07-15

发明(设计)人：

郑文杰程龙高虹刘春杨胡加辉金从龙

申请人：

江西兆驰半导体有限公司

申请人地址：

330000 江西省南昌市南昌高新技术产业开发区天祥北大道1717号

IPC主分类号：

H10H20/815

IPC分类号：

H10H20/816 H10H20/01

代理机构：

广州三环专利商标代理有限公司 44202

代理人：

李素兰

法律状态：

公开

国省代码：

河北省保定市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-04-02	公开	公开
2025-07-15	授权	授权
2024-04-19	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 33/12申请日:20231229

共 50 条

[1]

发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 [P].

郑文杰 ;

程龙 ;

高虹 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN117810329A ,2024-04-02

[2]

发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 [P].

胡加辉 ;

郑文杰 ;

高虹 ;

刘春杨 ;

金从龙 .

中国专利 :CN119230673B ,2025-04-22

[3]

发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 [P].

胡加辉 ;

郑文杰 ;

高虹 ;

刘春杨 ;

金从龙 .

中国专利 :CN119230673A ,2024-12-31

[4]

发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 [P].

郑文杰 ;

程龙 ;

高虹 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN118782704A ,2024-10-15

[5]

发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 [P].

程龙 ;

郑文杰 ;

高虹 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN117810337A ,2024-04-02

[6]

发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 [P].

舒俊 ;

程龙 ;

高虹 ;

郑文杰 ;

印从飞 ;

张彩霞 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN118099312A ,2024-05-28

[7]

发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 [P].

胡加辉 ;

郑文杰 ;

高虹 ;

刘春杨 ;

金从龙 .

中国专利 :CN119403312B ,2025-03-18

[8]

发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 [P].

郑文杰 ;

曹斌斌 ;

程龙 ;

高虹 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN117410406A ,2024-01-16

[9]

发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 [P].

胡加辉 ;

郑文杰 ;

程龙 ;

高虹 ;

刘春杨 ;

金从龙 .

中国专利 :CN118572002B ,2024-09-27

[10]

发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 [P].

舒俊 ;

程龙 ;

高虹 ;

郑文杰 ;

印从飞 ;

张彩霞 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN117894895A ,2024-04-16

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