半导体结构的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311840254.X

申请日：

2023-12-27

公开(公告)号：

CN120221406A

公开(公告)日：

2025-06-27

发明(设计)人：

彭泰彦郭磊屠小龙杨宇新陶铮石小丽许开东

申请人：

江苏鲁汶仪器股份有限公司

申请人地址：

221300 江苏省徐州市邳州市邳州市经济开发区辽河西路8号

IPC主分类号：

H01L21/3065

IPC分类号：

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

吴敏

法律状态：

公开

国省代码：

河北省衡水市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-06-27	公开	公开
2025-07-15	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/3065申请日:20231227

共 50 条

[1]

半导体结构的形成方法 [P].

郭磊 ;

杨宇新 ;

崔虎山 ;

彭泰彦 ;

胡冬冬 ;

许开东 .

中国专利 :CN120237003A ,2025-07-01

[2]

半导体结构的形成方法 [P].

何作鹏 ;

杨明 ;

卑多慧 ;

朱辰 ;

张超 ;

倪百兵 .

中国专利 :CN113496877A ,2021-10-12

[3]

半导体结构的形成方法 [P].

金吉松 ;

亚伯拉罕·庾 .

中国专利 :CN114171459A ,2022-03-11

[4]

半导体结构的形成方法 [P].

韩静利 ;

荆学珍 ;

张浩 ;

于海龙 ;

张田田 ;

雒建明 .

中国专利 :CN114256137A ,2022-03-29

[5]

半导体结构的形成方法 [P].

赵猛 ;

施雪捷 .

中国专利 :CN114823294A ,2022-07-29

[6]

半导体结构的形成方法 [P].

郭震 ;

张林奥 ;

陈海洋 .

中国专利 :CN120936054A ,2025-11-11

[7]

半导体结构的形成方法 [P].

何作鹏 ;

杨明 ;

卑多慧 ;

朱辰 ;

张超 ;

倪百兵 .

中国专利 :CN113496877B ,2024-07-16

[8]

半导体结构的形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN115036221A ,2022-09-09

[9]

半导体结构的形成方法 [P].

张涵 ;

殷立强 ;

纪世良 ;

张海洋 .

中国专利 :CN117672861A ,2024-03-08

[10]

半导体结构的形成方法 [P].

张高颖 ;

叶逸舟 ;

甘志锋 ;

徐骁驰 .

中国专利 :CN118352303A ,2024-07-16

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