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半导体器件及其形成方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202411275386.7
申请日：
2024-09-12
公开(公告)号：
CN120390445A
公开(公告)日：
2025-07-29
发明(设计)人：
黄咏骞 黄泰维 钟鸿钦 李达元 陈建豪 张文 徐志安 蔡明兴
申请人：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址：
中国台湾新竹市
IPC主分类号：
H10D84/03
IPC分类号：
B82Y40/00 H10D84/83 H10D64/27 H10D62/17 H10D84/85
代理机构：
北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258
代理人：
桑敏
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-07-29 公开 公开
2025-08-15 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H10D 84/03申请日:20240912
共 50 条
[1]
半导体器件及其形成方法 [P]. 
蔡尚崎 ;
郭康民 .
中国专利 :CN106856209A ,2017-06-16
[2]
半导体器件及其形成方法、半导体存储器器件 [P]. 
姜慧如 ;
林仲德 .
中国专利 :CN113540249A ,2021-10-22
[3]
半导体器件及其形成方法、半导体存储器器件 [P]. 
姜慧如 ;
林仲德 .
中国专利 :CN113540249B ,2024-09-06
[4]
半导体器件结构及其形成方法、半导体器件 [P]. 
黄海涛 ;
陈伟 ;
张永熙 ;
仲雪倩 ;
陈思哲 .
中国专利 :CN117995684A ,2024-05-07
[5]
半导体器件、半导体结构及其形成方法 [P]. 
郑嵘健 ;
江国诚 ;
朱熙甯 ;
陈冠霖 ;
王志豪 ;
程冠伦 .
中国专利 :CN114551355A ,2022-05-27
[6]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
布兰卡·玛佳丽·科佩 ;
王佳敏 ;
阿什瓦蒂·艾耶 ;
克里斯·刘 .
中国专利 :CN113497153B ,2024-08-13
[7]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
布兰卡·玛佳丽·科佩 ;
王佳敏 ;
阿什瓦蒂·艾耶 ;
克里斯·刘 .
中国专利 :CN113497153A ,2021-10-12
[8]
器件结构、半导体器件及其形成方法 [P]. 
吕俊颉 ;
施昱全 ;
林佑明 .
中国专利 :CN119967855A ,2025-05-09
[9]
半导体器件及其形成方法 [P]. 
陈重辉 .
中国专利 :CN113345892B ,2025-12-05
[10]
半导体器件及其形成方法 [P]. 
刘金平 ;
贾德森·R·霍尔特 .
中国专利 :CN1979787A ,2007-06-13
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