半导体结构及半导体结构的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111257056.1

申请日：

2021-10-27

公开(公告)号：

CN116031207B

公开(公告)日：

2025-07-22

发明(设计)人：

王楠

申请人：

中芯国际集成电路制造(上海)有限公司中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H10D84/03

IPC分类号：

H10D84/83

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

朱得菊;唐嘉

法律状态：

授权

国省代码：

北京市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-07-22	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体结构及半导体结构的形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN113314601A ,2021-08-27

[2]

半导体结构及半导体结构的形成方法 [P].

柯星 ;

崇二敏 ;

张海洋 .

中国专利 :CN114121627A ,2022-03-01

[3]

半导体结构及半导体结构的形成方法 [P].

陈卓凡 .

中国专利 :CN114203696A ,2022-03-18

[4]

半导体结构及半导体结构的形成方法 [P].

陈卓凡 .

中国专利 :CN114203696B ,2025-08-26

[5]

半导体结构的形成方法、半导体结构、器件及装置 [P].

王阳 ;

蔺黎 ;

徐蓓华 ;

钟怡 ;

董天化 ;

曾红林 .

中国专利 :CN119486136A ,2025-02-18

[6]

半导体结构的形成方法、半导体结构、器件及装置 [P].

王阳 ;

蔺黎 ;

徐蓓华 ;

钟怡 ;

董天化 ;

曾红林 .

中国专利 :CN119486136B ,2025-10-10

[7]

半导体结构及半导体结构的形成方法 [P].

刘晓阳 .

中国专利 :CN117956783A ,2024-04-30

[8]

半导体结构的形成方法及半导体结构 [P].

刘志拯 .

中国专利 :CN114446869B ,2024-06-07

[9]

半导体结构及半导体结构的形成方法 [P].

甘露 ;

郑春生 ;

师兰芳 ;

张文广 ;

张华 .

中国专利 :CN113496874B ,2024-04-19

[10]

半导体结构及半导体结构的形成方法 [P].

神兆旭 ;

李阳 ;

郭俊伟 ;

尹悦 .

中国专利 :CN117954420A ,2024-04-30

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