发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202310123906.1

申请日：

2023-02-16

公开(公告)号：

CN116190517B

公开(公告)日：

2025-08-05

发明(设计)人：

程龙郑文杰高虹刘春杨胡加辉金从龙

申请人：

江西兆驰半导体有限公司

申请人地址：

330000 江西省南昌市南昌高新技术产业开发区天祥北大道1717号

IPC主分类号：

H10H20/816

IPC分类号：

H10H20/812 H10H20/814 H10H20/01

代理机构：

广州三环专利商标代理有限公司 44202

代理人：

李素兰

法律状态：

授权

国省代码：

河北省保定市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-08-05	授权	授权

共 50 条

[1]

发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 [P].

程龙 ;

郑文杰 ;

高虹 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN117810337A ,2024-04-02

[2]

发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 [P].

舒俊 ;

程龙 ;

高虹 ;

郑文杰 ;

印从飞 ;

张彩霞 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN118099312A ,2024-05-28

[3]

发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 [P].

胡加辉 ;

郑文杰 ;

高虹 ;

刘春杨 ;

金从龙 .

中国专利 :CN119403312B ,2025-03-18

[4]

发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 [P].

胡加辉 ;

郑文杰 ;

程龙 ;

高虹 ;

刘春杨 ;

金从龙 .

中国专利 :CN118572002B ,2024-09-27

[5]

发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 [P].

舒俊 ;

程龙 ;

高虹 ;

郑文杰 ;

印从飞 ;

张彩霞 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN117894895A ,2024-04-16

[6]

发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 [P].

舒俊 ;

高虹 ;

郑文杰 ;

张彩霞 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN119744049B ,2025-06-10

[7]

发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 [P].

舒俊 ;

程龙 ;

高虹 ;

郑文杰 ;

印从飞 ;

张彩霞 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN117894895B ,2024-06-11

[8]

发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 [P].

程龙 ;

郑文杰 ;

高虹 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN117810337B ,2025-07-15

[9]

发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 [P].

胡加辉 ;

郑文杰 ;

程龙 ;

高虹 ;

刘春杨 ;

金从龙 .

中国专利 :CN118572002A ,2024-08-30

[10]

发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 [P].

胡加辉 ;

郑文杰 ;

高虹 ;

刘春杨 ;

金从龙 .

中国专利 :CN119403312A ,2025-02-07

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