半导体装置、存储装置以及电子设备

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202380039950.2

申请日：

2023-05-02

公开(公告)号：

CN120359818A

公开(公告)日：

2025-07-22

发明(设计)人：

井上达则井上广树

申请人：

株式会社半导体能源研究所

申请人地址：

日本神奈川县厚木市

IPC主分类号：

H10B12/00

IPC分类号：

G11C11/405 H10B41/70 H10B99/00 H10D84/03 H10D84/40 H10D84/83 H10D30/67

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

何欣亭;陈岚

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-07-22	公开	公开
2025-08-08	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10B 12/00申请日:20230502

共 50 条

[1]

半导体装置、存储装置及电子设备 [P].

木村肇 ;

山崎舜平 .

日本专利 :CN118696617A ,2024-09-24

[2]

半导体装置、存储装置及电子设备 [P].

木村肇 ;

山崎舜平 .

日本专利 :CN120019724A ,2025-05-16

[3]

半导体装置、存储装置及电子设备 [P].

松崎隆德 ;

大贯达也 ;

加藤清 .

日本专利 :CN117941483A ,2024-04-26

[4]

半导体装置、半导体晶片、存储装置及电子设备 [P].

山崎舜平 ;

木村肇 .

中国专利 :CN110832640A ,2020-02-21

[5]

存储装置、半导体装置及电子设备 [P].

山崎舜平 ;

加藤清 ;

热海知昭 ;

长塚修平 ;

国武宽司 .

日本专利 :CN111656512B ,2025-02-14

[6]

半导体装置、存储装置及电子设备 [P].

大贯达也 ;

松崎隆德 ;

加藤清 ;

山崎舜平 .

中国专利 :CN111052350A ,2020-04-21

[7]

存储装置、半导体装置及电子设备 [P].

山崎舜平 ;

加藤清 ;

热海知昭 ;

长塚修平 ;

国武宽司 .

中国专利 :CN111656512A ,2020-09-11

[8]

半导体装置、存储装置及电子设备 [P].

大贯达也 ;

松崎隆德 ;

加藤清 ;

山崎舜平 .

日本专利 :CN111052350B ,2024-04-26

[9]

半导体存储装置、半导体装置和便携电子设备 [P].

柴田晃秀 ;

岩田浩 .

中国专利 :CN100431156C ,2004-12-01

[10]

半导体装置以及电子设备 [P].

乡户宏充 ;

国武宽司 ;

津田一树 .

中国专利 :CN114787986A ,2022-07-22

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