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光照射剥离用的剥离剂组合物和光照射剥离用的粘接剂组合物

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202380084974.X
申请日：
2023-12-11
公开(公告)号：
CN120344631A
公开(公告)日：
2025-07-18
发明(设计)人：
柳井昌树 新城彻也 奥野贵久
申请人：
日产化学株式会社
申请人地址：
日本
IPC主分类号：
C09K3/00
IPC分类号：
C09J7/30 C09J7/40 C09J161/06 C09J163/00 C09J201/00 H01L21/02 H01L21/301 H01L21/304 H01L21/683
代理机构：
北京品源专利代理有限公司 11332
代理人：
吕琳;朴秀玉
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-08-05 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):C09K 3/00申请日:20231211
2025-07-18 公开 公开
共 50 条
[1]
光照射剥离用的剥离剂组合物 [P]. 
奥野贵久 ;
新城彻也 .
日本专利 :CN119404297A ,2025-02-07
[2]
光照射剥离用粘接剂组合物、层叠体、层叠体的制造方法以及剥离方法 [P]. 
奥野贵久 ;
森谷俊介 ;
荻野浩司 ;
柄泽凉 ;
新城彻也 .
日本专利 :CN120829756A ,2025-10-24
[3]
光照射剥离用粘接剂组合物、层叠体、层叠体的制造方法以及剥离方法 [P]. 
奥野贵久 ;
森谷俊介 ;
荻野浩司 ;
柄泽凉 ;
新城彻也 .
中国专利 :CN113165343A ,2021-07-23
[4]
光照射剥离用粘接剂组合物和层叠体及层叠体的制造方法和剥离方法 [P]. 
荻野浩司 ;
新城彻也 ;
柄泽凉 ;
奥野贵久 .
中国专利 :CN113226743A ,2021-08-06
[5]
光照射剥离用的剥离剂组合物、层叠体以及经加工的半导体基板的制造方法 [P]. 
福田拓也 ;
新城彻也 .
日本专利 :CN119631160A ,2025-03-14
[6]
光照射剥离用的剥离剂组合物、层叠体以及经加工的半导体基板的制造方法 [P]. 
柳生雅文 ;
新城彻也 .
日本专利 :CN120883331A ,2025-10-31
[7]
光照射剥离用的剥离剂组合物、层叠体以及经加工的半导体基板的制造方法 [P]. 
柳生雅文 ;
新城彻也 .
日本专利 :CN119654697A ,2025-03-18
[8]
有机硅粘接剂用剥离剂组合物和剥离膜 [P]. 
大川直 ;
须藤通孝 ;
小野寺哲 ;
西岛一裕 ;
田中英文 ;
古川晴彦 .
中国专利 :CN110691825A ,2020-01-14
[9]
光照射剥离用的粘接剂组合物、层叠体以及经加工的半导体基板的制造方法 [P]. 
奥野贵久 ;
柳井昌树 ;
新城彻也 .
日本专利 :CN119301740A ,2025-01-10
[10]
剥离用组合物以及剥离用组合物的制造方法 [P]. 
吉冈孝广 ;
今井洋文 ;
久保安通史 .
中国专利 :CN103242981B ,2013-08-14
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