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MOSFET器件性能测试装置
被引:0
专利类型
:
实用新型
申请号
:
CN202421180796.9
申请日
:
2024-05-28
公开(公告)号
:
CN223155045U
公开(公告)日
:
2025-07-25
发明(设计)人
:
宣学才
申请人
:
江苏芯旺电子科技有限公司
申请人地址
:
221004 江苏省徐州市云龙区云龙经济开发区云龙科技谷三号楼一层
IPC主分类号
:
G01R1/04
IPC分类号
:
G01R31/26
G01R1/073
代理机构
:
北京凳凳知识产权代理有限公司 37386
代理人
:
张惠
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2025-07-25
授权
授权
共 50 条
[1]
性能测试装置
[P].
张晓勤
论文数:
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0
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0
张晓勤
;
陶方
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陶方
;
孙凯峰
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孙凯峰
;
仝威
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仝威
.
中国专利
:CN206161035U
,2017-05-10
[2]
半导体器件性能测试装置
[P].
刘宝成
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0
刘宝成
.
中国专利
:CN202159118U
,2012-03-07
[3]
性能测试装置
[P].
张晓勤
论文数:
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张晓勤
;
陶方
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陶方
;
孙凯峰
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孙凯峰
;
仝威
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仝威
.
中国专利
:CN106404041A
,2017-02-15
[4]
半导体器件散热性能测试装置
[P].
罗亚非
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机构:
鲁欧智造(山东)高端装备科技有限公司
鲁欧智造(山东)高端装备科技有限公司
罗亚非
.
中国专利
:CN222653071U
,2025-03-21
[5]
半导体器件散热性能测试装置
[P].
刘玉智
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刘玉智
.
中国专利
:CN201765268U
,2011-03-16
[6]
半导体器件散热性能测试装置
[P].
沈红星
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机构:
弘润半导体(苏州)有限公司
弘润半导体(苏州)有限公司
沈红星
;
李北印
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机构:
弘润半导体(苏州)有限公司
弘润半导体(苏州)有限公司
李北印
;
陈泳宇
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机构:
弘润半导体(苏州)有限公司
弘润半导体(苏州)有限公司
陈泳宇
.
中国专利
:CN221224913U
,2024-06-25
[7]
光电子器件性能测试装置
[P].
尹越鹏
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机构:
深圳市聚星源光电有限公司
深圳市聚星源光电有限公司
尹越鹏
;
尹小红
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机构:
深圳市聚星源光电有限公司
深圳市聚星源光电有限公司
尹小红
;
尹小文
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机构:
深圳市聚星源光电有限公司
深圳市聚星源光电有限公司
尹小文
.
中国专利
:CN223346990U
,2025-09-16
[8]
一种高性能MOSFET测试装置
[P].
郭力
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郭力
.
中国专利
:CN213482374U
,2021-06-18
[9]
轮椅电机加载性能测试装置
[P].
杜姗
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杜姗
;
孙祝兵
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孙祝兵
.
中国专利
:CN204028324U
,2014-12-17
[10]
器件抗挤压性能测试夹具和器件抗挤压性能测试装置
[P].
刘明建
论文数:
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刘明建
.
中国专利
:CN106501106B
,2017-03-15
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