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重合性化合物、光硬化型重合体、絶縁膜、保護膜、及び有機トランジスタデバイス[ja]
被引:0
申请号
:
JP20190044884
申请日
:
2019-03-12
公开(公告)号
:
JP7363060B2
公开(公告)日
:
2023-10-18
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
C08F20/30
IPC分类号
:
H01L21/312
H01L29/786
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
重合性化合物、光架橋性重合体、絶縁膜、及び有機トランジスタデバイス[ja]
[P].
日本专利
:JP7371334B2
,2023-10-31
[2]
新規化合物、絶縁膜材料、絶縁膜及び有機デバイス[ja]
[P].
日本专利
:JP6413916B2
,2018-10-31
[3]
絶縁膜形成用重合体、絶縁膜形成用組成物、絶縁膜及びそれを有する電子デバイス[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2009017247A1
,2010-10-28
[4]
有機薄膜トランジスタ用化合物及び有機薄膜トランジスタ[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2009125721A1
,2011-08-04
[5]
重合性化合物、重合性組成物、重合体及びフォトレジスト用組成物[ja]
[P].
日本专利
:JP7294312B2
,2023-06-20
[6]
重合性化合物、重合性組成物、重合体及びフォトレジスト用組成物[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2019159957A1
,2021-03-11
[7]
有機化合物及び発光デバイス[ja]
[P].
日本专利
:JP7634945B2
,2025-02-25
[8]
有機化合物、発光デバイス[ja]
[P].
HARUYAMA TAKUYA
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
SEMICONDUCTOR ENERGY LAB CO LTD
SEMICONDUCTOR ENERGY LAB CO LTD
HARUYAMA TAKUYA
;
OZAKA HARUE
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
SEMICONDUCTOR ENERGY LAB CO LTD
SEMICONDUCTOR ENERGY LAB CO LTD
OZAKA HARUE
;
HASHIMOTO NAOAKI
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
SEMICONDUCTOR ENERGY LAB CO LTD
SEMICONDUCTOR ENERGY LAB CO LTD
HASHIMOTO NAOAKI
.
日本专利
:JP2024128962A
,2024-09-24
[9]
有機化合物、発光デバイス[ja]
[P].
MORIKUBO MIYAKO
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
SEMICONDUCTOR ENERGY LAB CO LTD
SEMICONDUCTOR ENERGY LAB CO LTD
MORIKUBO MIYAKO
;
HAYASHI YUKI
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
SEMICONDUCTOR ENERGY LAB CO LTD
SEMICONDUCTOR ENERGY LAB CO LTD
HAYASHI YUKI
;
SUZUKI TSUNENORI
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
SEMICONDUCTOR ENERGY LAB CO LTD
SEMICONDUCTOR ENERGY LAB CO LTD
SUZUKI TSUNENORI
;
SHINGU TAKASHI
论文数:
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引用数:
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机构:
SEMICONDUCTOR ENERGY LAB CO LTD
SEMICONDUCTOR ENERGY LAB CO LTD
SHINGU TAKASHI
;
KAWAKAMI SHOKO
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机构:
SEMICONDUCTOR ENERGY LAB CO LTD
SEMICONDUCTOR ENERGY LAB CO LTD
KAWAKAMI SHOKO
;
OZAKA HARUE
论文数:
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机构:
SEMICONDUCTOR ENERGY LAB CO LTD
SEMICONDUCTOR ENERGY LAB CO LTD
OZAKA HARUE
;
SEO TETSUSHI
论文数:
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0
机构:
SEMICONDUCTOR ENERGY LAB CO LTD
SEMICONDUCTOR ENERGY LAB CO LTD
SEO TETSUSHI
.
日本专利
:JP2025036325A
,2025-03-14
[10]
有機薄膜トランジスタ、有機半導体膜、化合物、有機薄膜トランジスタ用組成物及び有機薄膜トランジスタの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6555667B2
,2019-08-07
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