一种可改善SiC MOSFET沟道迁移率的复合碳化硅结构及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510590622.2

申请日：

2025-05-08

公开(公告)号：

CN120435033A

公开(公告)日：

2025-08-05

发明(设计)人：

芦伟立房玉龙李帅韩明睿王启蘅高楠王波

申请人：

中国电子科技集团公司第十三研究所

申请人地址：

050051 河北省石家庄市合作路113号

IPC主分类号：

H10D30/60

IPC分类号：

H10D30/01 H10D62/10 H10D62/832 H10D62/17

代理机构：

石家庄国为知识产权事务所 13120

代理人：

柳萌

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-08-22	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/60申请日:20250508
2025-08-05	公开	公开

共 50 条

[1]

一种高沟道迁移率的碳化硅MOSFET及其制备方法 [P].

冀东 .

中国专利 :CN114843347A ,2022-08-02

[2]

改善碳化硅上的MOSFET沟道中的载流子迁移率的器件 [P].

F·托瑞格罗萨 ;

L·洛克斯 ;

P·格蒂格诺恩 .

中国专利 :CN112703607A ,2021-04-23

[3]

改善碳化硅上的MOSFET沟道中的载流子迁移率的器件 [P].

F·托瑞格罗萨 ;

L·洛克斯 ;

P·格蒂格诺恩 .

法国专利 :CN112703607B ,2025-04-04

[4]

一种改善SiC MOSFET器件沟道迁移率的方法 [P].

刘莉 ;

杨银堂 .

中国专利 :CN104882367A ,2015-09-02

[5]

提高SiC MOSFET沟道迁移率的方法 [P].

贾仁需 ;

汪钰成 ;

吕红亮 ;

张玉明 .

中国专利 :CN105047539B ,2015-11-11

[6]

一种高沟道迁移率碳化硅MOS管 [P].

陈蕾 ;

胡健峰 ;

何海洋 ;

梁金 .

中国专利 :CN221352752U ,2024-07-16

[7]

用于改善碳化硅MOSFET中反型层迁移率的方法 [P].

托马斯·C·勒德尔 ;

埃纳尔·O·斯文比约登松 ;

哈尔多尔·O·奥拉夫松 ;

古德约·I·古德永松 ;

卡尔·F·阿勒斯坦 .

中国专利 :CN101512727B ,2009-08-19

[8]

用于改进SiC MOSFET中的沟道迁移率的方法 [P].

Y·C·阿朗戈 ;

G·阿尔菲里 ;

G·罗马诺 .

:CN119856247A ,2025-04-18

[9]

提高垂直导电结构 SiC MOSFET沟道迁移率的方法 [P].

贾仁需 ;

汪钰成 ;

吕红亮 ;

张玉明 .

中国专利 :CN105161526A ,2015-12-16

[10]

具有高沟道迁移率的碳化硅半导体器件及其制造方法 [P].

远藤刚 ;

山本刚 ;

河合润 ;

山本建策 ;

奥野英一 .

中国专利 :CN1925169B ,2007-03-07

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