一种p-NiO为盖层的光通信波段InN红外光发光二极管和激光器及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202211245714.X

申请日：

2022-10-12

公开(公告)号：

CN115588720B

公开(公告)日：

2025-07-25

发明(设计)人：

杜国同吴国光

申请人：

吉林大学

申请人地址：

130012 吉林省长春市长春高新技术产业开发区前进大街2699号

IPC主分类号：

H10H20/816

IPC分类号：

H10H20/01 H10H20/822 H01S5/30

代理机构：

长春吉大专利代理有限责任公司 22201

代理人：

刘世纯;王恩远

法律状态：

授权

国省代码：

吉林省长春市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-07-25	授权	授权

共 50 条

[1]

一种p-NiO为盖层的光通信波段InN红外光发光管和激光器及其制备方法 [P].

杜国同 ;

吴国光 .

中国专利 :CN115588720A ,2023-01-10

[2]

p-NiO为盖层的AlGaN紫外光发光二极管和激光器及其制备方法 [P].

杜国同 ;

张源涛 ;

邓高强 .

中国专利 :CN115621390B ,2025-07-25

[3]

p-NiO为盖层的GaN可见光发光二极管和激光器及其制备方法 [P].

杜国同 ;

张源涛 ;

邓高强 .

中国专利 :CN115588721B ,2025-07-29

[4]

p-NiO为盖层的AlGaN紫外光发光管和激光器及其制备方法 [P].

杜国同 ;

张源涛 ;

邓高强 .

中国专利 :CN115621390A ,2023-01-17

[5]

p-NiO为盖层的GaN可见光发光管和激光器及其制备方法 [P].

杜国同 ;

张源涛 ;

邓高强 .

中国专利 :CN115588721A ,2023-01-10

[6]

发光二极管和激光器制作方法及发光二极管和激光器 [P].

孟志国 ;

吴春亚 ;

熊绍珍 ;

李娟 .

中国专利 :CN101246942A ,2008-08-20

[7]

一种快速光通信发光二极管 [P].

尚海锋 .

中国专利 :CN207442854U ,2018-06-01

[8]

具有发光二极管和激光器的光产生器 [P].

克里斯特·贝格内克 ;

约尔格·索尔格 .

中国专利 :CN108368983A ,2018-08-03

[9]

红外发光二极管外延片及其制备方法和红外发光二极管 [P].

高文浩 ;

冯彦斌 ;

梁倩 ;

吴超瑜 ;

彭钰仁 .

中国专利 :CN113793885A ,2021-12-14

[10]

红外发光二极管外延片及其制备方法和红外发光二极管 [P].

高文浩 ;

冯彦斌 ;

梁倩 ;

吴超瑜 ;

彭钰仁 .

中国专利 :CN113793885B ,2024-01-09

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