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透明导电性薄膜、透明导电性薄膜的制造方法及中间体

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202010905488.8
申请日：
2020-09-01
公开(公告)号：
CN112447313B
公开(公告)日：
2025-07-29
发明(设计)人：
竹安智宏 延泽秀树
申请人：
日东电工株式会社
申请人地址：
日本大阪府
IPC主分类号：
H01B5/14
IPC分类号：
H01B13/00 G06F3/041
代理机构：
北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277
代理人：
刘新宇;李茂家
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-07-29 授权 授权
共 50 条
[1]
透明导电性薄膜、透明导电性薄膜的制造方法及中间体 [P]. 
竹安智宏 ;
延泽秀树 .
中国专利 :CN112447313A ,2021-03-05
[2]
透明导电性薄膜 [P]. 
多多见央 ;
宫崎皓平 .
日本专利 :CN115699220B ,2025-07-11
[3]
透明导电性薄膜 [P]. 
多多见央 ;
宫崎皓平 .
中国专利 :CN115699220A ,2023-02-03
[4]
透明导电性薄膜及透明导电性薄膜层叠体 [P]. 
松本圭祐 ;
酒井和也 ;
安藤豪彦 .
中国专利 :CN109698042A ,2019-04-30
[5]
透明导电性薄膜的制造方法和透明导电性薄膜 [P]. 
梶原大辅 ;
碓井圭太 .
中国专利 :CN113393972A ,2021-09-14
[6]
透明导电性薄膜及结晶性透明导电性薄膜 [P]. 
竹安智宏 ;
酒井和也 ;
西岛仁志 .
日本专利 :CN111383794B ,2024-12-13
[7]
透明导电性薄膜及结晶性透明导电性薄膜 [P]. 
竹安智宏 ;
酒井和也 ;
西岛仁志 .
中国专利 :CN111383794A ,2020-07-07
[8]
透明导电性薄膜 [P]. 
鸦田泰介 ;
藤野望 .
日本专利 :CN118675796A ,2024-09-20
[9]
透明导电性薄膜 [P]. 
藤野望 ;
岩松祥平 .
日本专利 :CN118016349A ,2024-05-10
[10]
透明导电性薄膜 [P]. 
鸦田泰介 ;
藤野望 .
日本专利 :CN118675795A ,2024-09-20
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