肖特基二极管

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201880089100.2

申请日：

2018-12-11

公开(公告)号：

CN111699561B

公开(公告)日：

2025-07-18

发明(设计)人：

费拉·阿珂哈利尔理查德·普赖斯布莱恩·科布

申请人：

务实半导体有限公司

申请人地址：

英国

IPC主分类号：

H10D8/60

IPC分类号：

H10D8/01 H10D64/23 H10D64/64 H10D62/10 H10D62/85 H10D62/83 H10D62/80 H10D62/86

代理机构：

北京品源专利代理有限公司 11332

代理人：

谭营营;胡彬

法律状态：

著录事项变更

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-05-30	著录事项变更	著录事项变更IPC(主分类):H01L 29/872变更事项:申请人变更前:务实印刷有限公司变更后:务实半导体有限公司变更事项:国家或地区变更前:英国变更后:英国变更事项:地址变更前:英国达勒姆变更后:英国
2025-07-18	授权	授权

共 50 条

[1]

肖特基二极管 [P].

费拉·阿珂哈利尔 ;

理查德·普赖斯 ;

布莱恩·科布 .

中国专利 :CN111699561A ,2020-09-22

[2]

肖特基二极管 [P].

费拉·阿珂哈利尔 ;

理查德·普赖斯 ;

布莱恩·科布 .

英国专利 :CN120676651A ,2025-09-19

[3]

肖特基二极管 [P].

J·迪特尔 ;

H·塔迪肯 .

中国专利 :CN100409458C ,2005-07-13

[4]

肖特基二极管 [P].

J.P.亨宁 ;

Q.张 ;

S-H.刘 ;

A.K.阿加瓦尔 ;

J.W.帕尔摩尔 ;

S.艾伦 .

中国专利 :CN103782393B ,2014-05-07

[5]

肖特基二极管 [P].

洪崇祐 ;

胡智闵 ;

陈永初 ;

龚正 .

中国专利 :CN102347373B ,2012-02-08

[6]

肖特基二极管 [P].

李万 ;

黄维 ;

童薇 ;

曹浪波 ;

彭志高 .

中国专利 :CN223286133U ,2025-08-29

[7]

肖特基二极管 [P].

Z·A·莎菲 ;

J·A·巴布科克 .

中国专利 :CN102870222B ,2013-01-09

[8]

肖特基二极管 [P].

A·伊万 ;

D·阿尔奎尔 ;

Y·科尔迪耶 .

中国专利 :CN204516775U ,2015-07-29

[9]

肖特基二极管 [P].

斯特凡·斯塔罗韦茨基 ;

奥尔加·克雷姆帕斯卡 ;

马丁·普雷德梅尔斯基 .

中国专利 :CN202549849U ,2012-11-21

[10]

肖特基二极管及肖特基二极管阵列 [P].

赵宇丹 ;

肖小阳 ;

王营城 ;

金元浩 ;

张天夫 ;

李群庆 .

中国专利 :CN108336090A ,2018-07-27

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