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薄膜晶体管及其制备方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202110117342.1
申请日
:
2021-01-28
公开(公告)号
:
CN114823874B
公开(公告)日
:
2025-07-29
发明(设计)人
:
任佳
吴永良
黄小骅
申请人
:
咸阳彩虹光电科技有限公司
申请人地址
:
712000 陕西省咸阳市秦都区高科一路1号
IPC主分类号
:
H10D64/23
IPC分类号
:
H10D30/67
H10D30/01
G02F1/1368
G02F1/1362
G02F1/1343
代理机构
:
深圳精智联合知识产权代理有限公司 44393
代理人
:
夏声平
法律状态
:
授权
国省代码
:
陕西省 咸阳市
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2025-07-29
授权
授权
共 50 条
[1]
薄膜晶体管及其制备方法
[P].
任佳
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任佳
;
吴永良
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吴永良
;
黄小骅
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黄小骅
.
中国专利
:CN114823874A
,2022-07-29
[2]
薄膜晶体管及其制备方法
[P].
孟哲宇
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孟哲宇
;
段志勇
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段志勇
;
魏朝刚
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魏朝刚
.
中国专利
:CN105957814A
,2016-09-21
[3]
薄膜晶体管及其制备方法
[P].
邹渊
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邹渊
;
李群庆
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李群庆
;
刘军库
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刘军库
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朱振东
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朱振东
;
范守善
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范守善
.
中国专利
:CN104103695B
,2014-10-15
[4]
薄膜晶体管及其制备方法
[P].
曹轩
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曹轩
.
中国专利
:CN108365095A
,2018-08-03
[5]
薄膜晶体管及其制备方法
[P].
赵海廷
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赵海廷
;
魏朝刚
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魏朝刚
;
刘青刚
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刘青刚
.
中国专利
:CN104409518B
,2015-03-11
[6]
薄膜晶体管及其制备方法
[P].
邹渊
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邹渊
;
李群庆
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李群庆
;
范守善
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范守善
.
中国专利
:CN104112777B
,2014-10-22
[7]
薄膜晶体管及其制备方法
[P].
黄义勋
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黄义勋
;
李根洙
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李根洙
.
中国专利
:CN1716636A
,2006-01-04
[8]
薄膜晶体管及其制备方法
[P].
许高博
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机构:
北京超弦存储器研究院
北京超弦存储器研究院
许高博
;
杨延宇
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北京超弦存储器研究院
北京超弦存储器研究院
杨延宇
;
颜刚平
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北京超弦存储器研究院
北京超弦存储器研究院
颜刚平
;
牛楚乔
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北京超弦存储器研究院
北京超弦存储器研究院
牛楚乔
;
罗杰
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机构:
北京超弦存储器研究院
北京超弦存储器研究院
罗杰
.
中国专利
:CN118398669A
,2024-07-26
[9]
薄膜晶体管及其制备方法
[P].
朴炳建
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朴炳建
.
中国专利
:CN1716635A
,2006-01-04
[10]
薄膜晶体管及制备方法
[P].
胡典禄
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胡典禄
;
陈建荣
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陈建荣
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任思雨
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任思雨
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苏君海
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苏君海
;
李建华
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李建华
.
中国专利
:CN105428244A
,2016-03-23
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