半导体结构、半导体器件及制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510831476.8

申请日：

2025-06-20

公开(公告)号：

CN120343962A

公开(公告)日：

2025-07-18

发明(设计)人：

黄爽杨杰李阳阳王瑞高志杰

申请人：

合肥晶合集成电路股份有限公司

申请人地址：

230012 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号

IPC主分类号：

H10D64/01

IPC分类号：

H10D64/27 H10D84/85

代理机构：

武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222

代理人：

杨宏伟

法律状态：

授权

国省代码：

天津市市辖区

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-08-15	授权	授权
2025-08-05	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 64/01申请日:20250620
2025-07-18	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体结构、半导体器件及制备方法 [P].

黄爽 ;

杨杰 ;

李阳阳 ;

王瑞 ;

高志杰 .

中国专利 :CN120343962B ,2025-08-15

[2]

半导体结构的制备方法、半导体结构及半导体器件 [P].

吴恒 ;

王润声 ;

黎明 ;

卢浩然 ;

孙嘉诚 ;

黄如 .

中国专利 :CN117832173A ,2024-04-05

[3]

半导体结构的制备方法、半导体结构及半导体器件 [P].

吴恒 ;

王润声 ;

黎明 ;

卢浩然 ;

孙嘉诚 ;

黄如 .

中国专利 :CN117832173B ,2025-03-21

[4]

半导体结构及其制备方法、半导体器件 [P].

廖学海 ;

明玉坤 ;

邹鹏 .

中国专利 :CN121099680A ,2025-12-09

[5]

半导体结构及其制备方法、半导体器件 [P].

廖学海 ;

明玉坤 ;

邹鹏 .

中国专利 :CN121078782A ,2025-12-05

[6]

半导体器件制造方法及半导体器件 [P].

吴世勋 ;

李晓玉 .

中国专利 :CN118675984A ,2024-09-20

[7]

半导体结构及制备方法、半导体器件 [P].

韩智毅 ;

陈曦 .

中国专利 :CN115331927A ,2022-11-11

[8]

制备半导体结构的方法、半导体结构及半导体器件 [P].

杨国文 ;

惠利省 .

中国专利 :CN114783869A ,2022-07-22

[9]

半导体结构的制备方法、半导体结构及半导体器件 [P].

吴恒 ;

卢浩然 ;

刘煜 ;

葛延栋 ;

王润声 ;

黎明 ;

黄如 .

中国专利 :CN118039565A ,2024-05-14

[10]

半导体结构、半导体结构的制备方法及半导体器件 [P].

谷强 ;

郭宏瑞 ;

韩为鹏 ;

黄其伟 .

中国专利 :CN115050750B ,2025-02-25

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