共 50 条
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一种红光NaTb<sub>2</sub>Ga<sub>3</sub>Ge<sub>2</sub>O<sub>12</sub>:Eu<sup>3+</sup>,Gd<sup>3+</sup>荧光粉及其制备方法
[P].
中国专利 :CN119570485B ,2025-10-03
[2]
一种红光NaTb<sub>2</sub>Ga<sub>3</sub>Ge<sub>2</sub>O<sub>12</sub>:Eu<sup>3+</sup>,Gd<sup>3+</sup>荧光粉及其制备方法
[P].
中国专利 :CN119570485A ,2025-03-07
[3]
一种新型Gd<sub>2</sub>O<sub>2</sub>S:Tb<sup>3+</sup>@CaF<sub>2</sub>核/壳结构复合荧光材料及其制备方法
[P].
中国专利 :CN120399690A ,2025-08-01
[4]
一种Al<sup>3+</sup>/Sc<sup>3+</sup>掺杂增强Gd<sub>2</sub>O<sub>2</sub>S:Tb<sup>3+</sup>荧光材料发光强度的技术
[P].
中国专利 :CN119391422A ,2025-02-07
[5]
[6]
一种Cr<sup>3+</sup>、Tb<sup>3+</sup>掺杂ZnGa<sub>2</sub>O<sub>4</sub>荧光粉及其制备方法
[P].
中国专利 :CN117568023A ,2024-02-20
[7]
一种Cr<sup>3+</sup>、Tb<sup>3+</sup>掺杂ZnGa<sub>2</sub>O<sub>4</sub>荧光粉及其制备方法
[P].
中国专利 :CN117568023B ,2024-12-06
[8]
一种双碳还原合成Gd<sub>2</sub>O<sub>2</sub>S:Tb<sup>3+</sup>微米级荧光材料的制备技术
[P].
中国专利 :CN116515487B ,2024-04-09
[9]
一种稀土离子掺杂(Eu<sup>3+</sup>,Tm<sup>3+</sup>或Tb<sup>3+</sup>)Y<sub>2</sub>Mo<sub>3</sub>O<sub>12</sub>温度传感荧光粉
[P].
中国专利 :CN119592326A ,2025-03-11
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