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一种半导体封装结构及半导体封装制造工艺
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202211049649.3
申请日：
2022-08-30
公开(公告)号：
CN115346935B
公开(公告)日：
2025-07-29
发明(设计)人：
董育均
申请人：
深圳市闪速半导体有限公司
申请人地址：
518000 广东省深圳市龙岗区坪地街道坪西社区吉利路8号A栋101A栋201A栋301
IPC主分类号：
H01L23/31
IPC分类号：
H01L23/367
H01L23/495
H01L21/48
代理机构：
成都初阳知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 51305
代理人：
张文凡
法律状态：
授权
国省代码：
广东省
深圳市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2025-07-29 | 授权 | 授权 |