一种SiC MOSFET驱动电路

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202510613376.8
申请日
2025-05-13
公开(公告)号
CN120528215A
公开(公告)日
2025-08-22
发明(设计)人
赵凤俭 单卫平 赵清 石小平 赵海明 张晨 徐妙玲 于学习
申请人
芯合半导体(合肥)有限公司
申请人地址
230000 安徽省合肥市高新区城西桥社区服务中心望江西路920号中安创谷科技园二期F8栋20层A19-3
IPC主分类号
H02M1/08
IPC分类号
H03K19/0185 H03K19/20
代理机构
合肥正则元起专利代理事务所(普通合伙) 34160
代理人
夏伟伦
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
SiC MOSFET驱动电路 [P]. 
赵凤俭 .
中国专利 :CN220896521U ,2024-05-03
[2]
一种SiC MOSFET驱动电路 [P]. 
吴旋律 ;
郎梓淇 ;
吴小华 .
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[3]
一种适用于SiC MOSFET并联的驱动电路 [P]. 
张雷 ;
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孙艺鹤 ;
任磊 ;
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严秋锋 .
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王来利 ;
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[5]
一种SiC MOSFET的驱动电路 [P]. 
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[6]
防串扰SiC MOSFET驱动电路 [P]. 
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[7]
一种SiC MOSFET驱动电路参数优化设计方法 [P]. 
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邱志东 ;
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[8]
一种SiC MOSFET驱动电路系统 [P]. 
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[9]
一种SiC-MOSFET的驱动电路 [P]. 
吴鸣 ;
宋振浩 ;
吕志鹏 ;
孙丽敬 ;
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寇凌峰 ;
郑楠 ;
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[10]
一种SiC MOSFET开环主动驱动电路 [P]. 
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