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PbSe红外探测薄膜及其制备方法以及红外探测器

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202310853012.8
申请日：
2023-07-12
公开(公告)号：
CN116904936B
公开(公告)日：
2025-08-29
发明(设计)人：
刘一臻 牛晓滨 孙辉
申请人：
电子科技大学 成都信息工程大学
申请人地址：
610000 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
IPC主分类号：
C23C14/30
IPC分类号：
C23C14/34 C23C14/06 H10F71/00 H10F30/10 H01L21/02 H10F77/12
代理机构：
北京超凡宏宇知识产权代理有限公司 11463
代理人：
覃蛟
法律状态：
授权
国省代码：
江苏省 徐州市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-08-29 授权 授权
共 50 条
[1]
PbSe光敏薄膜红外光电探测芯片及其制备方法、红外光电探测器 [P]. 
丁玎 ;
何峰 ;
张浩 ;
王栋 .
中国专利 :CN113013283A ,2021-06-22
[2]
高响应PbSe/C60异质结光敏薄膜红外探测芯片及其制备方法、红外探测器 [P]. 
丁玎 ;
何峰 ;
龚星 ;
汪已琳 .
中国专利 :CN113013282A ,2021-06-22
[3]
红外探测像素结构以及红外探测器 [P]. 
史永明 ;
王纯 ;
张超 .
中国专利 :CN207947288U ,2018-10-09
[4]
红外探测器的制备方法及红外探测器 [P]. 
李胜利 ;
乔启峰 .
中国专利 :CN120161682A ,2025-06-17
[5]
红外探测器、红外成像仪及红外探测器的制备方法 [P]. 
褚沁蓉 ;
户磊 .
中国专利 :CN111916512A ,2020-11-10
[6]
红外探测器、红外成像仪及红外探测器的制备方法 [P]. 
褚沁蓉 ;
户磊 .
中国专利 :CN111916513B ,2025-06-17
[7]
红外探测器、红外成像仪及红外探测器的制备方法 [P]. 
褚沁蓉 ;
户磊 .
中国专利 :CN111916513A ,2020-11-10
[8]
红外探测器及红外探测方法 [P]. 
刘文上 ;
何江 .
中国专利 :CN108513625A ,2018-09-07
[9]
红外探测器及红外探测方法 [P]. 
刘文上 ;
何江 .
中国专利 :CN108513611A ,2018-09-07
[10]
红外探测器及其制备方法 [P]. 
康晓旭 ;
蒋宾 .
中国专利 :CN113764539B ,2024-08-13
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