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基于SRAM阵列的多位同或运算的电路结构及方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202210625161.4
申请日：
2022-06-02
公开(公告)号：
CN114898789B
公开(公告)日：
2025-08-29
发明(设计)人：
戴成虎 余克锋 高珊 彭春雨 赵强 卢文娟 郝礼才 黎轩 刘立 蔺智挺 吴秀龙
申请人：
安徽大学
申请人地址：
230022 安徽省合肥市蜀山区肥西路3号
IPC主分类号：
G11C11/413
IPC分类号：
G11C11/419
代理机构：
合肥市泽信专利代理事务所(普通合伙) 34144
代理人：
方荣肖
法律状态：
授权
国省代码：
安徽省 宣城市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-08-29 授权 授权
共 50 条
[1]
基于SRAM阵列的多位同或运算的电路结构及方法 [P]. 
戴成虎 ;
余克锋 ;
高珊 ;
彭春雨 ;
赵强 ;
卢文娟 ;
郝礼才 ;
黎轩 ;
刘立 ;
蔺智挺 ;
吴秀龙 .
中国专利 :CN114898789A ,2022-08-12
[2]
一种用于SRAM阵列的列移位多位乘法二进制分解运算的电路结构 [P]. 
蔺智挺 ;
刘立 ;
张劲 ;
吴秀龙 ;
彭春雨 ;
卢文娟 ;
赵强 ;
陈军宁 .
中国专利 :CN113314174B ,2021-08-27
[3]
用于唤醒SRAM存储阵列的电路及SRAM [P]. 
于跃 .
中国专利 :CN109509494B ,2019-03-22
[4]
基于6T-SRAM的多位相乘相加运算电路及其控制方法 [P]. 
戴成虎 ;
高梦雅 ;
李鑫 ;
胡薇 ;
彭春雨 ;
卢文娟 ;
赵强 ;
吴秀龙 .
中国专利 :CN119068948B ,2025-09-19
[5]
基于6T-SRAM的多位相乘相加运算电路及其控制方法 [P]. 
戴成虎 ;
高梦雅 ;
李鑫 ;
胡薇 ;
彭春雨 ;
卢文娟 ;
赵强 ;
吴秀龙 .
中国专利 :CN119068948A ,2024-12-03
[6]
一种支持双行读取与异或运算的SRAM阵列电路及存储器 [P]. 
蔺智挺 ;
霍达 ;
刘玉 ;
胡薇 ;
戴成虎 ;
赵强 ;
卢文娟 ;
吴秀龙 ;
彭春雨 ;
周永亮 ;
李志刚 ;
李鑫 .
中国专利 :CN120727055A ,2025-09-30
[7]
基于忆阻器的混合逻辑同或电路以及同或计算阵列 [P]. 
吴枫 ;
孙文浩 ;
陈松 ;
张勇东 .
中国专利 :CN111817710B ,2024-01-19
[8]
基于忆阻器的混合逻辑同或电路以及同或计算阵列 [P]. 
吴枫 ;
孙文浩 ;
陈松 ;
张勇东 .
中国专利 :CN111817710A ,2020-10-23
[9]
一种在存储器中实现乘法和或逻辑运算的SRAM电路结构 [P]. 
蔺智挺 ;
蔡江涛 ;
张劲 ;
彭春雨 ;
卢文娟 ;
吴秀龙 ;
赵强 ;
陈军宁 .
中国专利 :CN112116937B ,2020-12-22
[10]
一种基于SRAM实现存内运算的电路结构 [P]. 
王豪州 ;
赵信 ;
黄金明 ;
方华 ;
张立 .
中国专利 :CN111863071B ,2020-10-30
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