一种半导体级二氧化硅真空烧结炉

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510564930.8

申请日：

2025-04-30

公开(公告)号：

CN120488714A

公开(公告)日：

2025-08-15

发明(设计)人：

王兵刘顺钢

申请人：

沈阳广泰真空科技股份有限公司

申请人地址：

110172 辽宁省沈阳市沈抚示范区同城路599号

IPC主分类号：

F27B5/05

IPC分类号：

F27B5/06 F27B5/14 F27D1/18 F27D7/06

代理机构：

北京中强智尚知识产权代理有限公司 11448

代理人：

孙宏翼

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

辽宁省

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-09-02	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):F27B 5/05申请日:20250430
2025-08-15	公开	公开

共 50 条

[1]

一种二氧化铪真空烧结炉 [P].

侯闽渤 .

中国专利 :CN210862220U ,2020-06-26

[2]

一种二氧化锆真空烧结炉 [P].

侯闽渤 .

中国专利 :CN210862221U ,2020-06-26

[3]

二氧化硅水解炉 [P].

王永庆 .

中国专利 :CN204097103U ,2015-01-14

[4]

二氧化硅水解炉 [P].

高晓丹 .

中国专利 :CN202785678U ,2013-03-13

[5]

二氧化硅 [P].

于尔根·迈尔 ;

斯特凡妮·弗拉恩 ;

曼弗雷德·埃特林格 .

中国专利 :CN100445336C ,2005-10-05

[6]

二氧化硅 [P].

J·迈尔 ;

M·肖尔茨 ;

P·布克尔 ;

A·希勒 .

中国专利 :CN103435056A ,2013-12-11

[7]

二氧化硅 [P].

J·迈尔 ;

M·肖尔茨 .

中国专利 :CN101679771B ,2010-03-24

[8]

二氧化硅 [P].

P·W·斯坦尼尔 .

中国专利 :CN101330897B ,2008-12-24

[9]

二氧化硅 [P].

A·阿尔克罗夫特 ;

P·W·施坦尼埃 .

中国专利 :CN1088546A ,1994-06-29

[10]

二氧化硅 [P].

于尔根·迈尔 ;

斯特凡妮·弗拉恩 ;

曼弗雷德·埃特林格 .

中国专利 :CN1678696A ,2005-10-05

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