一种硅基锗光电探测器及制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202511179150.8

申请日：

2025-08-22

公开(公告)号：

CN120676752A

公开(公告)日：

2025-09-19

发明(设计)人：

欧阳文森王胜林黄珊余威明

申请人：

粤芯半导体技术股份有限公司

申请人地址：

510700 广东省广州市黄埔区凤凰五路28号

IPC主分类号：

H10F71/00

IPC分类号：

H10F30/22 H10F77/14

代理机构：

上海光华专利事务所(普通合伙) 31219

代理人：

焦亚杰

法律状态：

授权

国省代码：

广东省广州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-11-04	授权	授权
2025-10-10	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10F 71/00申请日:20250822
2025-09-19	公开	公开

共 50 条

[1]

一种硅基锗光电探测器及制作方法 [P].

欧阳文森 ;

王胜林 ;

黄珊 ;

余威明 .

中国专利 :CN120676752B ,2025-11-04

[2]

硅基锗光电探测器 [P].

周治平 ;

涂芝娟 ;

华锋 ;

王会涛 ;

张琦 .

中国专利 :CN106328751A ,2017-01-11

[3]

一种高速硅基锗光电探测器 [P].

李玲 ;

闫亭伟 ;

张宇峰 .

中国专利 :CN120659401A ,2025-09-16

[4]

低暗电流硅基锗探测器的制作方法 [P].

刘恋 ;

高建威 ;

郭安然 ;

杨修伟 ;

刘鹏浩 ;

雷仁方 .

中国专利 :CN111933729B ,2020-11-13

[5]

硅基光电探测器及其制作方法 [P].

盛振 ;

武爱民 ;

仇超 ;

赵瑛璇 ;

高腾 ;

甘甫烷 ;

王曦 .

中国专利 :CN108878544A ,2018-11-23

[6]

硅基锗雪崩光电探测器阵列及其制备方法 [P].

陈仙 ;

张静 ;

张培健 ;

唐昭焕 ;

崔伟 ;

谭开洲 .

中国专利 :CN111710751A ,2020-09-25

[7]

一种锗硅光电探测器 [P].

陈冠宇 ;

王剑 ;

张子尧 .

中国专利 :CN120379395A ,2025-07-25

[8]

一种锗硅光电探测器 [P].

宋俊峰 ;

刘小斌 ;

李雪妍 ;

郜峰利 .

中国专利 :CN109904274A ,2019-06-18

[9]

一种锗硅雪崩光电探测器及其制作方法 [P].

王磊 ;

肖希 ;

陈代高 ;

胡晓 ;

张宇光 ;

李淼峰 ;

余少华 .

中国专利 :CN111883608B ,2020-11-03

[10]

基于硅基锗光电探测器的光电探测方法和系统及设备 [P].

崔积适 ;

刘持标 ;

邱锦明 ;

陈洪敏 .

中国专利 :CN109616532B ,2019-04-12

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