非易失性存储器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010516756.7

申请日：

2020-06-09

公开(公告)号：

CN112071854B

公开(公告)日：

2025-09-09

发明(设计)人：

郑光泳金钟源孙荣晥韩智勋

申请人：

三星电子株式会社

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H10B43/35

IPC分类号：

H10B43/27

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

王新华

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-09-09	授权	授权

共 50 条

[1]

非易失性存储器件 [P].

郑光泳 ;

金钟源 ;

孙荣晥 ;

韩智勋 .

中国专利 :CN112071854A ,2020-12-11

[2]

非易失性存储器件 [P].

李昌炫 .

中国专利 :CN100587957C ,2006-11-22

[3]

垂直非易失性存储器件 [P].

孙荣晥 ;

李普英 ;

李昇原 ;

李承桓 .

中国专利 :CN112582421A ,2021-03-30

[4]

非易失性存储器件 [P].

纳德尔·阿克尔 ;

帕拉哈特·阿加瓦尔 ;

罗伯特斯·T·F·范斯查克 .

中国专利 :CN101432852B ,2009-05-13

[5]

非易失性存储器件 [P].

朴仙美 ;

朴丙洙 ;

吴尚炫 .

中国专利 :CN102769018B ,2012-11-07

[6]

非易失性存储器件 [P].

张桐熏 ;

梁宇成 ;

任峻成 ;

黄盛珉 .

中国专利 :CN111276488A ,2020-06-12

[7]

非易失性存储器件 [P].

安在昊 ;

黄盛珉 ;

任峻成 ;

康范圭 ;

李相炖 .

中国专利 :CN112670288A ,2021-04-16

[8]

非易失性存储器件 [P].

郑载勋 ;

金汉洙 ;

张在薰 ;

赵厚成 ;

金敬勋 .

中国专利 :CN101859778B ,2010-10-13

[9]

非易失性存储器件 [P].

朴珠用 ;

金胜渊 ;

边大锡 .

韩国专利 :CN117596884A ,2024-02-23

[10]

非易失性存储器件 [P].

张桐熏 ;

梁宇成 ;

任峻成 ;

黄盛珉 .

韩国专利 :CN111276488B ,2024-03-12

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