一种用于单晶金刚石合成的装置系统

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202422606481.2

申请日：

2024-10-28

公开(公告)号：

CN223292705U

公开(公告)日：

2025-09-02

发明(设计)人：

崔名扬任丽李宏利方海江

申请人：

河南天璇半导体科技有限责任公司

申请人地址：

450000 河南省郑州市河南自贸试验区郑州片区（郑东）龙湖中环路与龙源西四街交叉口启迪郑东科技城产促中心2楼226号

IPC主分类号：

C30B25/00

IPC分类号：

C30B29/04

代理机构：

郑州睿信知识产权代理有限公司 41119

代理人：

牛爱周

法律状态：

授权

国省代码：

广东省汕头市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-09-02	授权	授权

共 50 条

[1]

制备单晶金刚石用基片台、单晶金刚石的制备方法 [P].

马晨阳 ;

朱肖华 ;

张春林 ;

方海江 .

中国专利 :CN119020855A ,2024-11-26

[2]

一种单晶金刚石及其MPCVD制备方法 [P].

龚闯 ;

满卫东 ;

蒋梅荣 ;

杨春梅 ;

杨武 .

中国专利 :CN114959891B ,2024-07-19

[3]

CVD单晶金刚石的二维扩大方法 [P].

马志斌 ;

吴超 ;

黄宏伟 ;

张田田 ;

宋修曦 .

中国专利 :CN106012003B ,2016-10-12

[4]

一种高品质合成金刚石制备工艺 [P].

何俊明 ;

吴长春 ;

王国民 .

中国专利 :CN120437891A ,2025-08-08

[5]

一种高品质合成金刚石制备工艺 [P].

何俊明 ;

吴长春 ;

王国民 .

中国专利 :CN120437891B ,2025-11-07

[6]

单晶金刚石合成装置 [P].

马懿 ;

马修·L·斯卡林 ;

朱金华 ;

吴建新 ;

缪勇 ;

卢荻 ;

艾永干 ;

克里斯托弗·E·格里芬 .

中国专利 :CN208167155U ,2018-11-30

[7]

金刚石衬底及其生长方法、金刚石外延层的生长方法 [P].

崔新春 ;

万玉喜 ;

胡浩林 ;

曾威 .

中国专利 :CN117568926A ,2024-02-20

[8]

金刚石衬底及其生长方法、金刚石外延层的生长方法 [P].

崔新春 ;

万玉喜 ;

胡浩林 ;

曾威 .

中国专利 :CN117568926B ,2024-09-13

[9]

一种用于双向生长单晶金刚石的衬底托 [P].

龚闯 ;

郑灿 .

中国专利 :CN205443508U ,2016-08-10

[10]

单晶金刚石基板的制备方法及生长单晶金刚石的基材 [P].

郭艳敏 ;

王楠 ;

赵堃 ;

莫宇 .

中国专利 :CN116516476B ,2024-02-13

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