基于氧化镓及氧化镍异质结的日盲紫外光电探测器阵列及制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510814923.9

申请日：

2025-06-18

公开(公告)号：

CN120659406A

公开(公告)日：

2025-09-16

发明(设计)人：

周子琦何可欣于雅俐慈鹏弘魏钟鸣

申请人：

中国科学院半导体研究所

申请人地址：

100083 北京市海淀区清华东路甲35号

IPC主分类号：

H10F39/10

IPC分类号：

H10F39/00 H10F77/12 H10F30/222

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

肖慧

法律状态：

公开

国省代码：

北京市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-09-16	公开	公开
2025-10-03	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10F 39/10申请日:20250618

共 50 条

[1]

氧化镓基日盲紫外光电探测器 [P].

刘宁涛 ;

张文瑞 ;

叶继春 .

中国专利 :CN114361286B ,2024-11-29

[2]

氧化镓基日盲紫外光电探测器 [P].

刘宁涛 ;

张文瑞 ;

叶继春 .

中国专利 :CN114361286A ,2022-04-15

[3]

基于氧化镓纳米线的柔性日盲紫外光电探测器及制备方法 [P].

陈端阳 ;

齐红基 ;

杨珍妮 ;

包森川 .

中国专利 :CN117976764A ,2024-05-03

[4]

一种氧化镍/镓酸锌异质结日盲紫外光电探测器及其应用 [P].

周泽民 ;

彭彦军 ;

王璐 ;

何启科 ;

陈健禧 ;

唐林峰 ;

彭湃 ;

黄乾修 ;

刘纬华 .

中国专利 :CN121152335A ,2025-12-16

[5]

电极光栅化氧化镓纳米腔日盲紫外光电探测器及制备方法 [P].

方慈浙 ;

杨家泳 ;

刘艳 ;

韩根全 ;

郝跃 .

中国专利 :CN117410353A ,2024-01-16

[6]

基于非晶氧化镓薄膜的日盲紫外光电探测器及其制备方法 [P].

吴真平 ;

王月晖 ;

支钰崧 ;

焦雷 ;

张晓 ;

陈政委 ;

唐为华 .

中国专利 :CN108666395A ,2018-10-16

[7]

基于氧化镍量子点的氧化镓日盲紫外探测器及制备方法 [P].

李晓茜 ;

周洋 ;

吴志帆 ;

韩根全 .

中国专利 :CN120152400A ,2025-06-13

[8]

基于氧化镍量子点的氧化镓日盲紫外探测器及制备方法 [P].

李晓茜 ;

周洋 ;

吴志帆 ;

韩根全 .

中国专利 :CN120152400B ,2025-08-12

[9]

一种制备Mg掺杂氧化镓薄膜及Mg掺杂氧化镓日盲紫外光电探测器的方法 [P].

胡伟 .

中国专利 :CN119108457A ,2024-12-10

[10]

一种新型高速氧化镓日盲紫外光电探测器及其制备方法 [P].

张泽民 ;

李颖弢 ;

骆莉莉 ;

郝瑞 .

中国专利 :CN119815939A ,2025-04-11

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