一种聚偏二氟乙烯基复合膜及其制备方法和应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411902761.6

申请日：

2024-12-23

公开(公告)号：

CN119701684B

公开(公告)日：

2025-09-19

发明(设计)人：

张鹏超陈中奥陈骁王永轩

申请人：

武汉理工大学

申请人地址：

430000 湖北省武汉市洪山区珞狮路122号

IPC主分类号：

B01D71/32

IPC分类号：

B01D69/02 B01D69/12 B01D67/00 C02F1/44 C02F103/08

代理机构：

武汉红观专利代理事务所(普通合伙) 42247

代理人：

管先翠

法律状态：

授权

国省代码：

湖北省武汉市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-09-19	授权	授权
2025-04-15	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):B01D 71/32申请日:20241223
2025-03-28	公开	公开

共 50 条

[1]

一种聚偏二氟乙烯基复合膜及其制备方法和应用 [P].

张鹏超 ;

陈中奥 ;

陈骁 ;

王永轩 .

中国专利 :CN119701684A ,2025-03-28

[2]

一种聚偏氟乙烯三氟乙烯基复合膜及其制备和应用 [P].

程逵 ;

罗芹 ;

吴程伟 ;

林伟明 ;

翁文剑 .

中国专利 :CN118745258A ,2024-10-08

[3]

一种聚偏二氟乙烯分离膜及其制备方法和应用 [P].

黄博武 ;

王建明 ;

陈顺权 ;

李亮 ;

郭秋兰 ;

谢绍业 .

中国专利 :CN117732282A ,2024-03-22

[4]

铝粉/聚偏二氟乙烯复合粒子及其制备方法和应用 [P].

韩志伟 ;

李亚宁 ;

甘璐瑶 ;

王伯良 .

中国专利 :CN110640136B ,2020-01-03

[5]

一种聚偏二氟乙烯基导热复合材料的制备方法 [P].

王勇 ;

张文斌 ;

杨静晖 ;

黄婷 ;

张楠 .

中国专利 :CN104530615A ,2015-04-22

[6]

一种聚偏二氟乙烯多孔薄膜及其制备方法和应用 [P].

张超 ;

黄健 ;

刘天西 ;

朱天宜 ;

王煜烽 ;

季白钰 ;

赵永旭 ;

徐凡昆 ;

程渊博 ;

王德宝 .

中国专利 :CN119463238A ,2025-02-18

[7]

一种锌电池用聚偏二氟乙烯基复合隔膜及其制备方法与应用 [P].

黎连生 ;

梁庆华 ;

蒙鹏宇 .

中国专利 :CN120199973A ,2025-06-24

[8]

一种全氟磺酸/磺酸化聚偏二氟乙烯微孔薄膜离子交换复合膜及其制备方法和应用 [P].

杨大伟 ;

柏槐基 ;

袁茂文 ;

伍晶鑫 ;

茹小飞 ;

山伯晋 ;

曹朋飞 .

中国专利 :CN117186486B ,2024-09-20

[9]

聚偏氟乙烯基复合纤维膜及其制备方法与应用 [P].

邱业君 ;

张占磊 .

中国专利 :CN103147224A ,2013-06-12

[10]

聚偏氟乙烯复合膜及其制备方法 [P].

李民 .

中国专利 :CN104191770A ,2014-12-10

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