高介电陶瓷电容器及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510100117.5

申请日：

2025-01-22

公开(公告)号：

CN119930277B

公开(公告)日：

2025-09-16

发明(设计)人：

刘隽甫杨聪明孙士伦刘亦谦

申请人：

昆山清元电子科技有限公司

申请人地址：

215300 江苏省苏州市昆山开发区盛晞路3号12幢406室

IPC主分类号：

C04B35/468

IPC分类号：

C04B35/622 C04B35/638 C04B35/64 H01G4/008 H01G4/224

代理机构：

苏州新美苏专利代理事务所(普通合伙) 32804

代理人：

王玉仙

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-05-23	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C04B 35/468申请日:20250122
2025-05-06	公开	公开
2025-09-16	授权	授权

共 50 条

[1]

高介电陶瓷电容器及其制备方法 [P].

刘隽甫 ;

杨聪明 ;

孙士伦 ;

刘亦谦 .

中国专利 :CN119930277A ,2025-05-06

[2]

介电陶瓷、制备介电陶瓷的方法和单片陶瓷电容器 [P].

笹林武久 ;

石原雅之 ;

中村友幸 ;

佐野晴信 .

中国专利 :CN101006028B ,2007-07-25

[3]

介电陶瓷及其制备方法和多层陶瓷电容器 [P].

中村友幸 ;

加藤成 ;

武藤和夫 ;

佐野晴信 .

中国专利 :CN1527331A ,2004-09-08

[4]

介电陶瓷及其制造方法、以及层叠陶瓷电容器 [P].

福田大辅 .

中国专利 :CN101238080B ,2008-08-06

[5]

介电陶瓷以及层叠陶瓷电容器 [P].

中村将典 ;

冈松俊宏 ;

加藤成 ;

矶田信弥 .

中国专利 :CN102086121B ,2011-06-08

[6]

介电陶瓷及层叠陶瓷电容器 [P].

铃木宏规 ;

大西英靖 ;

武藤和夫 ;

中村友幸 .

中国专利 :CN101970373A ,2011-02-09

[7]

介电陶瓷及其制造方法和叠层陶瓷电容器 [P].

中村友幸 ;

小中宏泰 ;

佐野晴信 .

中国专利 :CN1301517C ,2004-06-16

[8]

介电陶瓷及层叠陶瓷电容器 [P].

武藤和夫 ;

岛田康平 .

中国专利 :CN105801110A ,2016-07-27

[9]

介电陶瓷和单片陶瓷电容器 [P].

武藤和夫 ;

中村友幸 ;

加藤成 ;

佐野晴信 ;

笹林武久 ;

平松隆 .

中国专利 :CN101006027B ,2007-07-25

[10]

介电陶瓷及层叠陶瓷电容器 [P].

武藤和夫 ;

岛田康平 .

中国专利 :CN102040377A ,2011-05-04

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