一种铟基杂化金属卤化物晶体及其制备方法和应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311765534.9

申请日：

2023-12-20

公开(公告)号：

CN117924180B

公开(公告)日：

2025-09-19

发明(设计)人：

林昊炜黄小荥

申请人：

中国科学院福建物质结构研究所

申请人地址：

350002 福建省福州市鼓楼区杨桥西路155号

IPC主分类号：

C07D233/58

IPC分类号：

F21K2/00 F21K9/64 H10K85/30 H10K85/60 C07F5/00 C09K11/06 F21Y115/10

代理机构：

北京元周律知识产权代理有限公司 11540

代理人：

秦佩

法律状态：

授权

国省代码：

北京市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-09-19	授权	授权
2024-05-14	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C07D 233/58申请日:20231220
2024-04-26	公开	公开

共 50 条

[1]

一种铟基杂化金属卤化物晶体及其制备方法和应用 [P].

林昊炜 ;

黄小荥 .

中国专利 :CN117924180A ,2024-04-26

[2]

一种有机-无机杂化金属卤化物晶体及其制备方法和应用 [P].

于伟泳 ;

寇桐桐 ;

韩世国 ;

王亮 ;

常通 .

中国专利 :CN118955432A ,2024-11-15

[3]

杂化金属卤化物发光材料及其制备方法和应用 [P].

王建浦 ;

常进 ;

王成成 ;

卓春雪 .

中国专利 :CN114874767B ,2024-10-29

[4]

杂化金属卤化物发光材料及其制备方法和应用 [P].

王建浦 ;

常进 ;

王成成 ;

卓春雪 .

中国专利 :CN114874767A ,2022-08-09

[5]

零维杂化铟基卤化物材料及其制备方法和应用 [P].

雷晓武 ;

岳呈阳 ;

李东阳 .

中国专利 :CN116425640B ,2025-02-18

[6]

一种光刺激响应零维铟基杂化金属卤化物及其制备方法与应用 [P].

罗彬彬 ;

陈楚东 ;

李先丽 .

中国专利 :CN118496149B ,2024-09-20

[7]

一种光刺激响应零维铟基杂化金属卤化物及其制备方法与应用 [P].

罗彬彬 ;

陈楚东 ;

李先丽 .

中国专利 :CN118496149A ,2024-08-16

[8]

一种有机-无机杂化锰基卤化物光学晶体及其制备方法和应用 [P].

唐波 ;

吴烨标 ;

刘宏鸣 .

中国专利 :CN120700586A ,2025-09-26

[9]

一种耐高温的无铅杂化铟基卤化物及其应用 [P].

王玉印 ;

张静 ;

张文文 ;

杨慧慧 .

中国专利 :CN120665021A ,2025-09-19

[10]

一种双鏻基金属卤化物及其制备方法和应用 [P].

匡代彬 ;

罗健彬 ;

魏俊华 .

中国专利 :CN118812592A ,2024-10-22

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