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一种Ga<sup>3+</sup>掺杂In<sub>2</sub>O<sub>3</sub> MEMS甲醛传感器的制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202310020747.2
申请日：
2023-01-06
公开(公告)号：
CN116443918B
公开(公告)日：
2025-09-05
发明(设计)人：
段国韬 张彦林 张征 张宇 陈劲涛 吕国梁
申请人：
华中科技大学
申请人地址：
430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
IPC主分类号：
C01G15/00
IPC分类号：
B81C1/00 G01N27/407 G01N33/00
代理机构：
华中科技大学专利中心 42201
代理人：
许恒恒
法律状态：
授权
国省代码：
湖北省 武汉市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-09-05 授权 授权
共 50 条
[1]
一种Fe<sup>3+</sup>掺杂三明治结构Ti<sub>3</sub>C<sub>2</sub>T<sub>x</sub>@H<sub>2</sub>V<sub>3</sub>O<sub>8</sub>材料及其制备方法和应用 [P]. 
王海洋 ;
苗宗成 ;
梁苗苗 .
中国专利 :CN118471702A ,2024-08-09
[2]
一种Cr<sup>3+</sup>离子掺杂的透明γ-Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>发光陶瓷及其制备方法 [P]. 
张剑 ;
邢旭宏 ;
李艳伟 ;
崔航 ;
吕行 ;
王道阔 ;
闫欣宇 ;
邹栋轩 ;
张曦文 .
中国专利 :CN119822800B ,2025-10-10
[3]
一种Cr<sup>3+</sup>离子掺杂的透明γ-Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>发光陶瓷及其制备方法 [P]. 
张剑 ;
邢旭宏 ;
李艳伟 ;
崔航 ;
吕行 ;
王道阔 ;
闫欣宇 ;
邹栋轩 ;
张曦文 .
中国专利 :CN119822800A ,2025-04-15
[4]
一种Fe<sup>3+</sup>掺杂纳米带结构VO<sub>2</sub>(B)/V<sub>3</sub>O<sub>5</sub>异质结材料及其制备方法和应用 [P]. 
王海洋 ;
苗宗成 ;
梁苗苗 ;
赵玉真 ;
马成 ;
马皓 .
中国专利 :CN119601620A ,2025-03-11
[5]
一种Sr<sub>1.95</sub>Ga<sub>2</sub>SiO<sub>7</sub>:0.05Tb<sup>3+</sup>材料的应用 [P]. 
徐旭辉 ;
刘代源 ;
巴怀强 ;
张健 ;
代恒 .
中国专利 :CN117516678A ,2024-02-06
[6]
Yb<sup>3+</sup>掺杂CsPbBr<sub>3</sub>PMSCs及其制备方法和应用 [P]. 
徐珂 ;
薛冬峰 ;
杨钰 .
中国专利 :CN115710502B ,2024-01-02
[7]
一种熔盐法制备片状单晶Sr<sub>2</sub>MgSi<sub>2</sub>O<sub>7</sub>:Eu<sup>2+</sup>,Dy<sup>3+</sup>长余辉粉体材料的方法 [P]. 
裴浪 ;
余英强 ;
马占峰 ;
钟家松 ;
刘晓 .
中国专利 :CN119900070A ,2025-04-29
[8]
基于TiO<sub>2</sub>-MoS<sub>2</sub>-AuNPs异质结的光纤SPR痕量Cr<sup>3+</sup>传感器、制作方法以及Cr<sup>3+</sup>浓度检测方法 [P]. 
冯文林 ;
徐源莉 ;
杨晓占 ;
刘相志 .
中国专利 :CN119000618A ,2024-11-22
[9]
Mn<sup>2+</sup>和Yb<sup>3+</sup>双掺杂CsPbBr<sub>3</sub>PMSCs及其制备方法和应用 [P]. 
徐珂 ;
薛冬峰 ;
杨钰 .
中国专利 :CN115746843B ,2024-02-09
[10]
一种新型Gd<sub>2</sub>O<sub>2</sub>S:Tb<sup>3+</sup>@CaF<sub>2</sub>核/壳结构复合荧光材料及其制备方法 [P]. 
刘全生 ;
李明浩 ;
柏朝晖 ;
卢利平 ;
刘秀玲 ;
孙海鹰 ;
王能利 ;
米晓云 ;
于小芳 ;
唐赫 ;
安正策 .
中国专利 :CN120399690A ,2025-08-01
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