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采用射频磁控溅射法在金刚石衬底上外延生长β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>薄膜的方法及β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>薄膜
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中国专利 :CN118186582A ,2024-06-14
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一种以氟化碳为基底纳米金刚石为结合点的三维Li<sub>1.5</sub>Na<sub>1.5</sub>V<sub>2</sub>(PO<sub>4</sub>)<sub>3</sub>/NDs/CF<sub>x</sub>正极材料及其制备方法
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中国专利 :CN118579761A ,2024-09-03
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