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半導体デバイス構造、および、当該半導体デバイス構造を形成する方法[ja]

被引：0
申请号：
JP20250026522
申请日：
2025-02-21
公开(公告)号：
JP2025128059A
公开(公告)日：
2025-09-02
发明(设计)人：
申请人：
申请人地址：
IPC主分类号：
H10D30/01
IPC分类号：
H01L21/3205 H01L21/768 H10D30/60 H10D30/62
代理机构：
代理人：
法律状态：
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
共 50 条
[1]
半導体デバイスを製造する方法およびその半導体デバイス[ja] [P]. 
日本专利 :JP2022550015A ,2022-11-30
[2]
半導体デバイスおよび半導体デバイスの製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP2017511596A ,2017-04-20
[3]
半導体デバイス、半導体装置および半導体デバイス形成方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP2021500741A ,2021-01-07
[4]
半導体ボディを製造する方法および半導体デバイス[ja] [P]. 
日本专利 :JP2023547246A ,2023-11-09
[5]
半導体デバイスの空隙スペーサを形成する方法および半導体デバイス[ja] [P]. 
NGUYEN SON VAN ;
YAMASHITA TENKO ;
CHENG KANGGUO ;
THOMAS JASPER HAIGH JR ;
PARK CHANRO ;
ERIC LINIGER ;
LI JUNTAO ;
SANJAY MEHTA .
日本专利 :JP2022140451A ,2022-09-26
[6]
半導体デバイスの空隙スペーサを形成する方法および半導体デバイス[ja] [P]. 
日本专利 :JP2019527933A ,2019-10-03
[7]
半導体構造体および半導体構造体を形成する方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP2021504940A ,2021-02-15
[8]
半導体デバイスを製作するための方法および半導体デバイス[ja] [P]. 
日本专利 :JP2018506174A ,2018-03-01
[9]
半導体デバイスおよび方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP2025514413A ,2025-05-02
[10]
半導体デバイス、半導体デバイスの製造方法、および処理システム[ja] [P]. 
日本专利 :JP2022519276A ,2022-03-22
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