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单向TVS二极管
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202411309260.7
申请日
:
2024-09-19
公开(公告)号
:
CN120603259A
公开(公告)日
:
2025-09-05
发明(设计)人
:
王军
申请人
:
上海鑫维半导体有限公司
申请人地址
:
201108 上海市闵行区都会路2501号2栋302
IPC主分类号
:
H10D8/00
IPC分类号
:
H10D62/10
代理机构
:
苏州三英知识产权代理有限公司 32412
代理人
:
李年圣
法律状态
:
公开
国省代码
:
引用
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2025-09-05
公开
公开
2025-09-23
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):H10D 8/00申请日:20240919
共 50 条
[1]
贴片TVS二极管
[P].
叶敏
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
叶敏
;
陈盛隆
论文数:
0
引用数:
0
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0
陈盛隆
.
中国专利
:CN210245511U
,2020-04-03
[2]
双向TVS二极管芯片
[P].
王军
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
上海鑫维半导体有限公司
上海鑫维半导体有限公司
王军
.
中国专利
:CN120614838A
,2025-09-09
[3]
双向TVS二极管
[P].
倪凯彬
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
倪凯彬
;
许成宗
论文数:
0
引用数:
0
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0
许成宗
;
黄海员
论文数:
0
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0
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0
黄海员
;
顾建平
论文数:
0
引用数:
0
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0
顾建平
.
中国专利
:CN203690309U
,2014-07-02
[4]
双向TVS二极管
[P].
廖兵
论文数:
0
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0
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0
廖兵
;
田伟
论文数:
0
引用数:
0
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0
田伟
.
中国专利
:CN113972194A
,2022-01-25
[5]
TVS二极管测试装置
[P].
万鑫
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
常州银河世纪微电子股份有限公司
常州银河世纪微电子股份有限公司
万鑫
.
中国专利
:CN220795392U
,2024-04-16
[6]
TVS二极管包装结构
[P].
叶敏
论文数:
0
引用数:
0
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0
叶敏
;
陈盛隆
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
陈盛隆
.
中国专利
:CN210794260U
,2020-06-19
[7]
低电容TVS二极管
[P].
廖兵
论文数:
0
引用数:
0
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0
廖兵
;
田伟
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
田伟
.
中国专利
:CN113972181A
,2022-01-25
[8]
一种单向低电容TVS二极管
[P].
徐远
论文数:
0
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0
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0
徐远
;
曹德祥
论文数:
0
引用数:
0
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0
曹德祥
.
中国专利
:CN206742244U
,2017-12-12
[9]
一种单向低电容TVS二极管
[P].
马奕俊
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
深圳辰达半导体有限公司
深圳辰达半导体有限公司
马奕俊
.
中国专利
:CN222338269U
,2025-01-10
[10]
一种单向低电容TVS二极管
[P].
李保
论文数:
0
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0
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李保
;
李玲
论文数:
0
引用数:
0
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0
李玲
.
中国专利
:CN209183530U
,2019-07-30
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