半导体结构及其制备方法、存储器系统

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410251229.6

申请日：

2024-03-04

公开(公告)号：

CN120603236A

公开(公告)日：

2025-09-05

发明(设计)人：

张权周文斌朱贝贝黄腾石艳伟张子玉

申请人：

长江存储科技有限责任公司

申请人地址：

430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号

IPC主分类号：

H10B12/00

IPC分类号：

H10B43/20 H10B43/35 H10B41/20 H10B41/35

代理机构：

北京英思普睿知识产权代理有限公司 16018

代理人：

刘莹;聂国斌

法律状态：

公开

国省代码：

河北省石家庄市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-09-05	公开	公开
2025-09-23	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10B 12/00申请日:20240304

共 50 条

[1]

半导体结构及其制备方法、存储器、存储器系统 [P].

王建东 ;

郑晓芬 .

中国专利 :CN121218599A ,2025-12-26

[2]

半导体结构及其制备方法、存储器、存储器系统 [P].

何舟 ;

彭星淋 ;

秦秋亮 ;

刘隆冬 ;

张刚 .

中国专利 :CN120980889A ,2025-11-18

[3]

半导体结构及其制备方法、存储器、存储器系统 [P].

杨永刚 ;

郑瑜环 ;

张和 .

中国专利 :CN121078733A ,2025-12-05

[4]

半导体结构及其制备方法、存储器、存储器系统 [P].

任爱 ;

武志洲 .

中国专利 :CN120640685A ,2025-09-12

[5]

半导体结构及其制备方法、存储器系统 [P].

张权 ;

石艳伟 ;

许文山 ;

陈亮 ;

李景 ;

陈成 .

中国专利 :CN120512919A ,2025-08-19

[6]

半导体结构及其制备方法、存储器系统 [P].

赵祥辉 ;

曾最新 ;

张元露 ;

章诗 ;

张川 .

中国专利 :CN120825949A ,2025-10-21

[7]

半导体结构及其制备方法、存储器系统 [P].

张权 ;

石艳伟 ;

周文斌 ;

姚兰 ;

陈亮 ;

甘程 .

中国专利 :CN120614806A ,2025-09-09

[8]

半导体结构及其制备方法、存储器系统 [P].

黄武根 ;

伍术 ;

肖亮 .

中国专利 :CN115036323A ,2022-09-09

[9]

半导体结构及其制备方法、存储器系统 [P].

杨远程 ;

孙昌志 ;

赵冬雪 ;

周文犀 ;

夏志良 .

中国专利 :CN120692843A ,2025-09-23

[10]

半导体结构及其制备方法、存储器系统 [P].

侯超 ;

杨涛 ;

赵冬雪 ;

周文犀 ;

夏志良 .

中国专利 :CN120239279A ,2025-07-01

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