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垂直腔面发射激光器及其制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202411635947.X
申请日：
2024-11-15
公开(公告)号：
CN119518424B
公开(公告)日：
2025-09-23
发明(设计)人：
李峰柱 吴昌翰 王冲
申请人：
芯联越州集成电路制造（绍兴）有限公司
申请人地址：
312000 浙江省绍兴市越城区皋埠街道临江路508号
IPC主分类号：
H01S5/183
IPC分类号：
H01S5/343
代理机构：
苏州锦尚知识产权代理事务所(普通合伙) 32502
代理人：
李洋;刘鹤
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-02-25 公开 公开
2025-09-23 授权 授权
2025-03-14 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H01S 5/183申请日:20241115
共 50 条
[1]
垂直腔面发射激光器及其制备方法 [P]. 
李峰柱 ;
吴昌翰 ;
王冲 .
中国专利 :CN119518424A ,2025-02-25
[2]
垂直腔面发射激光器 [P]. 
张成 ;
梁栋 .
中国专利 :CN120389290A ,2025-07-29
[3]
垂直腔面发射激光器及其制备方法 [P]. 
尧舜 ;
刘晨晖 ;
胡斌 ;
张颜儒 ;
杨默 ;
戴伟 ;
董国亮 ;
常露 ;
王青 ;
李军 ;
张杨 .
中国专利 :CN113258442B ,2021-08-13
[4]
垂直腔面发射激光器及其制备方法 [P]. 
尧舜 ;
常露 ;
张颜儒 ;
杨默 ;
戴伟 ;
董国亮 ;
刘晨晖 ;
王青 ;
李军 ;
张杨 .
中国专利 :CN112260062A ,2021-01-22
[5]
垂直腔面发射激光器及其制备方法 [P]. 
李加伟 ;
向宇 .
中国专利 :CN114759433A ,2022-07-15
[6]
垂直腔面发射激光器及其制备方法 [P]. 
潘德烈 ;
李承远 ;
李佳勋 .
中国专利 :CN115313150B ,2025-05-30
[7]
垂直腔面发射激光器及其制备方法 [P]. 
梁栋 ;
张成 ;
刘嵩 .
中国专利 :CN112993752B ,2021-06-18
[8]
垂直腔面发射激光器及其制备方法 [P]. 
潘德烈 ;
李承远 ;
李佳勋 .
中国专利 :CN115313150A ,2022-11-08
[9]
垂直腔面发射激光器制备方法及垂直腔面发射激光器 [P]. 
李加伟 ;
严磊 ;
李国庆 .
中国专利 :CN113922209A ,2022-01-11
[10]
垂直腔面发射激光器制备方法及垂直腔面发射激光器 [P]. 
向宇 ;
赖铭智 ;
高逸群 ;
岳光礼 ;
许聪基 .
中国专利 :CN113809636A ,2021-12-17
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