薄膜沉积装置及薄膜沉积方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510874680.8

申请日：

2025-06-27

公开(公告)号：

CN120366747B

公开(公告)日：

2025-09-23

发明(设计)人：

戴明宇周培垄李天天费红财陈更明成康金京俊

申请人：

盛美半导体设备（上海）股份有限公司盛美半导体设备韩国有限公司清芯科技有限公司盛美半导体设备（成都）有限公司

申请人地址：

201203 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区蔡伦路1690号第4幢

IPC主分类号：

C23C16/458

IPC分类号：

C23C16/46 C23C16/505 C23C16/52

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司 31100

代理人：

杜娟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

上海市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-08-12	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C23C 16/458申请日:20250627
2025-07-25	公开	公开
2025-09-23	授权	授权

共 50 条

[1]

薄膜沉积装置及薄膜沉积方法 [P].

戴明宇 ;

周培垄 ;

李天天 ;

费红财 ;

陈更明 ;

成康 ;

金京俊 .

中国专利 :CN120366747A ,2025-07-25

[2]

薄膜沉积装置及薄膜沉积方法 [P].

王厚工 ;

丁培军 ;

耿波 ;

李杨超 ;

武学伟 .

中国专利 :CN103572244A ,2014-02-12

[3]

薄膜沉积装置、薄膜沉积方法及薄膜沉积设备 [P].

朱志君 ;

王晖 ;

金京俊 .

中国专利 :CN120193262A ,2025-06-24

[4]

薄膜沉积装置及薄膜沉积方法 [P].

李天天 ;

贺斌 ;

周培垄 ;

王晖 ;

贾社娜 ;

张山 ;

陶晓峰 ;

金京俊 .

中国专利 :CN119710643A ,2025-03-28

[5]

薄膜沉积装置及薄膜沉积方法 [P].

戴明宇 ;

金京俊 .

中国专利 :CN120174351A ,2025-06-20

[6]

薄膜沉积装置及薄膜沉积方法 [P].

江润峰 ;

曹威 ;

戴树刚 .

中国专利 :CN103898476A ,2014-07-02

[7]

薄膜沉积装置及薄膜沉积方法 [P].

王晖 ;

张山 ;

成康 ;

戴明宇 ;

金京俊 .

中国专利 :CN119433514A ,2025-02-14

[8]

薄膜沉积装置及薄膜沉积方法 [P].

王晖 ;

张山 ;

成康 ;

戴明宇 ;

金京俊 .

中国专利 :CN119433514B ,2025-12-30

[9]

薄膜沉积装置及薄膜沉积方法 [P].

田连刚 ;

王晖 ;

贺斌 ;

金京俊 .

中国专利 :CN121161269A ,2025-12-19

[10]

薄膜沉积装置及薄膜沉积方法 [P].

姜友松 ;

王怀民 ;

顾康鑫 ;

郑炳蔚 ;

杨运 ;

董常海 .

中国专利 :CN115466927A ,2022-12-13

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