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金属-绝缘体-金属电容器的制造方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202510649927.6
申请日
:
2025-05-20
公开(公告)号
:
CN120583687A
公开(公告)日
:
2025-09-02
发明(设计)人
:
赵德鹏
李佳龙
范晓
申请人
:
华虹半导体(无锡)有限公司
申请人地址
:
214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号
IPC主分类号
:
H10D1/68
IPC分类号
:
代理机构
:
上海浦一知识产权代理有限公司 31211
代理人
:
陈钧
法律状态
:
公开
国省代码
:
江苏省 无锡市
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2025-09-02
公开
公开
2025-09-19
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):H10D 1/68申请日:20250520
共 50 条
[1]
金属-绝缘体-金属电容器及其制造方法
[P].
王媛
论文数:
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王媛
;
张步新
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张步新
.
中国专利
:CN101819922A
,2010-09-01
[2]
金属-绝缘体-金属电容器的制造方法
[P].
杨佳澄
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机构:
上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司
上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司
杨佳澄
;
袁宇
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机构:
上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司
上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司
袁宇
.
中国专利
:CN120613307A
,2025-09-09
[3]
金属-绝缘体-金属电容器
[P].
S·陈
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S·陈
;
J·T·瓦特
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J·T·瓦特
;
M·C·赤安
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M·C·赤安
.
中国专利
:CN102217068A
,2011-10-12
[4]
结构为金属-绝缘体-金属的电容器制造方法
[P].
邹晓东
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邹晓东
;
徐强
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徐强
;
邹建军
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邹建军
.
中国专利
:CN101783286B
,2010-07-21
[5]
金属-绝缘体-金属电容器及制造方法
[P].
道格拉斯·D·库尔鲍
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道格拉斯·D·库尔鲍
;
埃比尼泽·E·埃施安
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埃比尼泽·E·埃施安
;
杰弗里·P·甘比诺
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杰弗里·P·甘比诺
;
何忠祥
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何忠祥
;
维德亚·拉马钱德兰
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维德亚·拉马钱德兰
.
中国专利
:CN100568507C
,2008-04-09
[6]
形成电容器结构的方法和金属-绝缘体-金属电容器结构
[P].
曾宣翰
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曾宣翰
;
陈春元
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陈春元
;
周禄盛
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周禄盛
;
曾晓晖
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曾晓晖
;
施俊吉
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施俊吉
.
中国专利
:CN114530555A
,2022-05-24
[7]
制造金属-绝缘体-金属电容器的方法
[P].
金柏源
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金柏源
.
中国专利
:CN101335197B
,2008-12-31
[8]
金属-绝缘体-金属电容器的制造方法
[P].
郭丰
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郭丰
;
邬瑞彬
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邬瑞彬
;
郭启森
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郭启森
;
王光超
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王光超
.
中国专利
:CN101958235A
,2011-01-26
[9]
高电容密度金属-绝缘体-金属电容器
[P].
乔恩·布拉德利·拉斯特
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乔恩·布拉德利·拉斯特
;
拉温德拉·V·社诺伊
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拉温德拉·V·社诺伊
;
贾斯汀·菲尔普斯·布莱克
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贾斯汀·菲尔普斯·布莱克
;
唐纳德·威廉·基德韦尔
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唐纳德·威廉·基德韦尔
.
中国专利
:CN104205389A
,2014-12-10
[10]
金属-绝缘体-金属电容器
[P].
林哲歆
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林哲歆
;
王庆钧
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王庆钧
;
李隆盛
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李隆盛
.
中国专利
:CN1988078A
,2007-06-27
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