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碳化硅功率器件及其制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202510803024.9
申请日：
2025-06-16
公开(公告)号：
CN120659367A
公开(公告)日：
2025-09-16
发明(设计)人：
肖帅 马万里 陈勇 谭键文
申请人：
珠海格力电子元器件有限公司
申请人地址：
519085 广东省珠海市高新区唐家湾镇金唐路1号港湾1号科创园24栋C区1层428室（集中办公区）
IPC主分类号：
H10D64/01
IPC分类号：
H10D64/62 H01L23/367
代理机构：
北京康信知识产权代理有限责任公司 11240
代理人：
王晓玲
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-09-16 公开 公开
2025-10-03 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H10D 64/01申请日:20250616
共 50 条
[1]
碳化硅功率器件及其制备方法 [P]. 
余开庆 ;
曾祥 ;
相奇 ;
李恬恬 .
中国专利 :CN121218646A ,2025-12-26
[2]
碳化硅功率器件的制备方法及其碳化硅功率器件 [P]. 
连建伟 ;
林志东 .
中国专利 :CN118800798A ,2024-10-18
[3]
碳化硅功率器件及其制备方法 [P]. 
杨皓宇 ;
倪炜江 ;
郝志杰 .
中国专利 :CN119815845A ,2025-04-11
[4]
碳化硅功率器件及碳化硅功率器件的制备方法 [P]. 
魏林程 ;
倪炜江 ;
郝志杰 .
中国专利 :CN119364809A ,2025-01-24
[5]
碳化硅外延终端扩展结构及其制备方法、碳化硅功率器件 [P]. 
马志勇 ;
廖奇泊 ;
封国立 .
中国专利 :CN117423720A ,2024-01-19
[6]
碳化硅功率器件及其制备方法、功率转换模块 [P]. 
汤岑 ;
胡彬 .
中国专利 :CN118743026A ,2024-10-01
[7]
碳化硅功率器件及其制造方法 [P]. 
朱超群 ;
陈宇 .
中国专利 :CN107785417A ,2018-03-09
[8]
碳化硅功率器件及其制造方法 [P]. 
刘慧莹 ;
李枭 ;
谢志平 ;
王珏 .
中国专利 :CN117650051B ,2024-09-27
[9]
碳化硅功率器件及其制造方法 [P]. 
刘慧莹 ;
李枭 ;
谢志平 ;
王珏 .
中国专利 :CN117650051A ,2024-03-05
[10]
一种碳化硅功率器件的制备方法及碳化硅功率器件 [P]. 
桑玲 ;
田亮 ;
夏经华 ;
查祎英 ;
张文婷 ;
田丽欣 ;
安运来 ;
朱涛 ;
牛喜平 ;
罗松威 ;
杨霏 ;
吴军民 .
中国专利 :CN112002648A ,2020-11-27
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