基于功率半导体的充电电压控制方法及系统

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202510995907.4
申请日
2025-07-18
公开(公告)号
CN120767967A
公开(公告)日
2025-10-10
发明(设计)人
何昌 蔡远飞 张光亚
申请人
深圳市美浦森半导体有限公司
申请人地址
518100 广东省深圳市宝安区西乡街道劳动社区西乡大道和宝源路交汇处中央大道D座16A
IPC主分类号
H02J7/00
IPC分类号
H02J7/35
代理机构
北京清控智云知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11919
代理人
管士涛
法律状态
公开
国省代码
广东省 深圳市
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共 50 条
[1]
半导体功率单元及半导体功率模块 [P]. 
陆熙 .
中国专利 :CN212810296U ,2021-03-26
[2]
功率半导体的控制方法和功率半导体的控制电路 [P]. 
陈武 ;
吴凯 ;
鄂飞 ;
李勇 .
中国专利 :CN119995568A ,2025-05-13
[3]
功率半导体的控制方法和功率半导体的控制电路 [P]. 
陈武 ;
吴凯 ;
鄂飞 ;
李勇 .
中国专利 :CN119995568B ,2025-09-12
[4]
电极及功率半导体模块 [P]. 
杨俭 ;
陈亮亮 ;
石彩云 ;
庞荣桦 .
中国专利 :CN208538835U ,2019-02-22
[5]
电极及功率半导体模块 [P]. 
杨俭 ;
陈亮亮 ;
石彩云 ;
庞荣桦 .
中国专利 :CN208538838U ,2019-02-22
[6]
电极及功率半导体模块 [P]. 
杨俭 ;
陈亮亮 ;
石彩云 ;
庞荣桦 .
中国专利 :CN208298813U ,2018-12-28
[7]
一种基于多模态数据的功率半导体故障检测方法及系统 [P]. 
何昌 ;
张光亚 ;
李俊峰 .
中国专利 :CN120561654A ,2025-08-29
[8]
功率半导体控制 [P]. 
R.肖尔茨 .
中国专利 :CN105744758A ,2016-07-06
[9]
功率半导体装置及功率半导体装置的制造方法 [P]. 
市川庆太郎 ;
鹿野武敏 ;
四个所裕二 ;
河原史伦 .
日本专利 :CN119133132A ,2024-12-13
[10]
功率半导体模块的制造方法及功率半导体模块 [P]. 
中村宏之 .
中国专利 :CN109712969A ,2019-05-03