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基于功率半导体的充电电压控制方法及系统
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202510995907.4
申请日
:
2025-07-18
公开(公告)号
:
CN120767967A
公开(公告)日
:
2025-10-10
发明(设计)人
:
何昌
蔡远飞
张光亚
申请人
:
深圳市美浦森半导体有限公司
申请人地址
:
518100 广东省深圳市宝安区西乡街道劳动社区西乡大道和宝源路交汇处中央大道D座16A
IPC主分类号
:
H02J7/00
IPC分类号
:
H02J7/35
代理机构
:
北京清控智云知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11919
代理人
:
管士涛
法律状态
:
公开
国省代码
:
广东省 深圳市
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2025-10-10
公开
公开
2025-10-28
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):H02J 7/00申请日:20250718
共 50 条
[1]
半导体功率单元及半导体功率模块
[P].
陆熙
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
陆熙
.
中国专利
:CN212810296U
,2021-03-26
[2]
功率半导体的控制方法和功率半导体的控制电路
[P].
陈武
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
宁德时代新能源科技股份有限公司
宁德时代新能源科技股份有限公司
陈武
;
吴凯
论文数:
0
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0
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0
机构:
宁德时代新能源科技股份有限公司
宁德时代新能源科技股份有限公司
吴凯
;
鄂飞
论文数:
0
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0
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0
机构:
宁德时代新能源科技股份有限公司
宁德时代新能源科技股份有限公司
鄂飞
;
李勇
论文数:
0
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0
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0
机构:
宁德时代新能源科技股份有限公司
宁德时代新能源科技股份有限公司
李勇
.
中国专利
:CN119995568A
,2025-05-13
[3]
功率半导体的控制方法和功率半导体的控制电路
[P].
陈武
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
宁德时代新能源科技股份有限公司
宁德时代新能源科技股份有限公司
陈武
;
吴凯
论文数:
0
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0
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0
机构:
宁德时代新能源科技股份有限公司
宁德时代新能源科技股份有限公司
吴凯
;
鄂飞
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0
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0
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0
机构:
宁德时代新能源科技股份有限公司
宁德时代新能源科技股份有限公司
鄂飞
;
李勇
论文数:
0
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0
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0
机构:
宁德时代新能源科技股份有限公司
宁德时代新能源科技股份有限公司
李勇
.
中国专利
:CN119995568B
,2025-09-12
[4]
电极及功率半导体模块
[P].
杨俭
论文数:
0
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0
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0
杨俭
;
陈亮亮
论文数:
0
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0
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0
陈亮亮
;
石彩云
论文数:
0
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0
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0
石彩云
;
庞荣桦
论文数:
0
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0
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0
庞荣桦
.
中国专利
:CN208538835U
,2019-02-22
[5]
电极及功率半导体模块
[P].
杨俭
论文数:
0
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0
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0
杨俭
;
陈亮亮
论文数:
0
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0
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0
陈亮亮
;
石彩云
论文数:
0
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0
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0
石彩云
;
庞荣桦
论文数:
0
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0
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0
庞荣桦
.
中国专利
:CN208538838U
,2019-02-22
[6]
电极及功率半导体模块
[P].
杨俭
论文数:
0
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0
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0
杨俭
;
陈亮亮
论文数:
0
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0
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陈亮亮
;
石彩云
论文数:
0
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石彩云
;
庞荣桦
论文数:
0
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0
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0
庞荣桦
.
中国专利
:CN208298813U
,2018-12-28
[7]
一种基于多模态数据的功率半导体故障检测方法及系统
[P].
何昌
论文数:
0
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0
h-index:
0
机构:
深圳市美浦森半导体有限公司
深圳市美浦森半导体有限公司
何昌
;
张光亚
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
深圳市美浦森半导体有限公司
深圳市美浦森半导体有限公司
张光亚
;
李俊峰
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
深圳市美浦森半导体有限公司
深圳市美浦森半导体有限公司
李俊峰
.
中国专利
:CN120561654A
,2025-08-29
[8]
功率半导体控制
[P].
R.肖尔茨
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
R.肖尔茨
.
中国专利
:CN105744758A
,2016-07-06
[9]
功率半导体装置及功率半导体装置的制造方法
[P].
市川庆太郎
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
三菱电机株式会社
三菱电机株式会社
市川庆太郎
;
鹿野武敏
论文数:
0
引用数:
0
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机构:
三菱电机株式会社
三菱电机株式会社
鹿野武敏
;
四个所裕二
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
三菱电机株式会社
三菱电机株式会社
四个所裕二
;
河原史伦
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
三菱电机株式会社
三菱电机株式会社
河原史伦
.
日本专利
:CN119133132A
,2024-12-13
[10]
功率半导体模块的制造方法及功率半导体模块
[P].
中村宏之
论文数:
0
引用数:
0
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0
中村宏之
.
中国专利
:CN109712969A
,2019-05-03
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