一种超短沟道二维半导体场效应晶体管及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510966557.9

申请日：

2025-07-14

公开(公告)号：

CN120751720A

公开(公告)日：

2025-10-03

发明(设计)人：

罗中中田夫果于志浩赵强

申请人：

南京邮电大学

申请人地址：

210003 江苏省南京市栖霞区文苑路9号

IPC主分类号：

H10D30/01

IPC分类号：

H10D30/60 H10D62/80 H10D62/10 H10D62/17 H10D62/00 B82Y40/00

代理机构：

南京众联专利代理有限公司 32206

代理人：

郭君兰

法律状态：

公开

国省代码：

江苏省南京市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-03	公开	公开
2025-10-24	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/01申请日:20250714

共 50 条

[1]

一种二维半导体垂直型沟道场效应晶体管及制备方法 [P].

熊雄 ;

刘视远 ;

吴燕庆 .

中国专利 :CN117913141A ,2024-04-19

[2]

半导体场效应晶体管及其制造方法 [P].

佐泽洋幸 ;

清水三聪 ;

八木修一 ;

奥村元 .

中国专利 :CN101405850A ,2009-04-08

[3]

半导体场效应晶体管及其制备方法 [P].

李寿全 ;

张彦飞 ;

赵哿 ;

龚雪芹 ;

张浩 ;

温霄霞 ;

刘梦新 .

中国专利 :CN118522768B ,2024-10-11

[4]

一种超短沟道二维场效应晶体管 [P].

李海川 ;

綦殿禹 ;

任堃 ;

高大为 ;

许凯 ;

方文章 .

中国专利 :CN118676187A ,2024-09-20

[5]

半导体场效应晶体管及其制备方法 [P].

李寿全 ;

张彦飞 ;

赵哿 ;

龚雪芹 ;

张浩 ;

温霄霞 ;

刘梦新 .

中国专利 :CN118522768A ,2024-08-20

[6]

一种p型二维半导体顶栅场效应晶体管及其制备方法 [P].

包文中 .

中国专利 :CN120730763A ,2025-09-30

[7]

一种二维半导体材料负电容场效应晶体管及制备方法 [P].

黄如 ;

贾润东 ;

黄芊芊 ;

王慧敏 ;

陈亮 ;

杨勐譞 .

中国专利 :CN108831928A ,2018-11-16

[8]

半导体装置、场效应晶体管及其栅极的制造方法 [P].

林正堂 ;

邱永升 ;

王湘仪 ;

余佳霖 ;

余振华 .

中国专利 :CN101582379B ,2009-11-18

[9]

场效应晶体管及其制备方法 [P].

卢年端 ;

李泠 ;

揣喜臣 ;

杨冠华 ;

耿玓 ;

刘明 .

中国专利 :CN110098256A ,2019-08-06

[10]

场效应晶体管及其制备方法 [P].

岳德武 ;

王新中 ;

刘新科 .

中国专利 :CN115360258A ,2022-11-18

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