石墨烯的生长方法和石墨烯装置的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202380094557.3

申请日：

2023-10-19

公开(公告)号：

CN120731188A

公开(公告)日：

2025-09-30

发明(设计)人：

牧英之

申请人：

庆应义塾

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

C01B32/184

IPC分类号：

G02B6/13

代理机构：

北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201

代理人：

宋融冰

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-09-30	公开	公开
2025-10-21	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C01B 32/184申请日:20231019

共 50 条

[1]

石墨烯的生长方法 [P].

罗军 ;

亨利·H·阿达姆松 ;

王桂磊 ;

赵超 .

中国专利 :CN105990091B ,2016-10-05

[2]

石墨烯的生长方法 [P].

王浩敏 ;

唐述杰 ;

卢光远 ;

吴天如 ;

姜达 ;

丁古巧 ;

张学富 ;

谢红 ;

谢晓明 ;

江绵恒 .

中国专利 :CN104562195B ,2015-04-29

[3]

石墨烯的制造方法 [P].

佐藤京树 .

日本专利 :CN118922380A ,2024-11-08

[4]

石墨烯的制造方法 [P].

北浦秀敏 ;

西木直巳 ;

西川和宏 ;

中谷公明 ;

田中笃志 .

中国专利 :CN104350009A ,2015-02-11

[5]

多层石墨烯及其生长方法 [P].

刘忠范 ;

彭海琳 ;

孙禄钊 ;

钟山 ;

李杨立志 ;

王悦晨 ;

余屹 ;

陈步航 .

中国专利 :CN112299399B ,2021-02-02

[6]

一种石墨烯的生长方法以及石墨烯 [P].

刘争晖 ;

王建峰 ;

钟海舰 ;

任国强 ;

蔡德敏 ;

徐耿钊 ;

樊英民 ;

徐科 .

中国专利 :CN102181924B ,2011-09-14

[7]

石墨烯晶片、制造石墨烯晶片的方法、释放石墨烯层的方法和制造石墨烯器件的方法 [P].

荻原光彦 ;

鹭森友彦 ;

佐久田昌明 ;

桥本明弘 ;

田中悟 .

中国专利 :CN101927998B ,2010-12-29

[8]

层数可控石墨烯的生长方法 [P].

狄增峰 ;

王刚 ;

丁古巧 ;

张苗 ;

陈达 ;

马骏 ;

陆子同 ;

谢晓明 .

中国专利 :CN103265021B ,2013-08-28

[9]

石墨烯的生长方法、石墨烯层及半导体器件 [P].

罗军 ;

赵超 .

中国专利 :CN105845543A ,2016-08-10

[10]

石墨烯制造用铜箔和石墨烯的制造方法 [P].

古曳伦也 ;

坂口和彦 .

中国专利 :CN104995135A ,2015-10-21

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