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半导体存储器装置和操作该半导体存储器装置的方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202110332456.8
申请日
:
2021-03-29
公开(公告)号
:
CN114067886B
公开(公告)日
:
2025-09-26
发明(设计)人
:
崔亨进
申请人
:
爱思开海力士有限公司
申请人地址
:
韩国京畿道
IPC主分类号
:
G11C16/10
IPC分类号
:
G11C16/34
G11C16/04
代理机构
:
北京三友知识产权代理有限公司 11127
代理人
:
刘久亮;黄纶伟
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2025-09-26
授权
授权
共 50 条
[1]
半导体存储器装置和操作该半导体存储器装置的方法
[P].
崔亨进
论文数:
0
引用数:
0
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0
崔亨进
.
中国专利
:CN114067886A
,2022-02-18
[2]
半导体存储器装置以及操作该半导体存储器装置的方法
[P].
李宗勋
论文数:
0
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0
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0
李宗勋
.
中国专利
:CN113689894A
,2021-11-23
[3]
半导体存储器装置及操作该半导体存储器装置的方法
[P].
李熙烈
论文数:
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0
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0
李熙烈
.
中国专利
:CN110534148A
,2019-12-03
[4]
半导体存储器装置以及操作该半导体存储器装置的方法
[P].
李宗勋
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
爱思开海力士有限公司
爱思开海力士有限公司
李宗勋
.
韩国专利
:CN113689894B
,2024-12-31
[5]
半导体存储器装置和半导体存储器装置的操作方法
[P].
伊戈尔·沃茨佐夫
论文数:
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伊戈尔·沃茨佐夫
;
黄荣南
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黄荣南
;
金镇民
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金镇民
;
朴容河
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朴容河
;
朴贤植
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朴贤植
;
梁宰圆
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梁宰圆
.
中国专利
:CN111243636A
,2020-06-05
[6]
半导体存储器装置和操作半导体存储器装置的方法
[P].
金经纶
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金经纶
;
吴伦娜
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吴伦娜
;
辛昊炫
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辛昊炫
;
李载镐
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李载镐
.
中国专利
:CN112216332A
,2021-01-12
[7]
半导体存储器装置和操作半导体存储器装置的方法
[P].
赵硕进
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赵硕进
;
吴台荣
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吴台荣
;
朴廷桓
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朴廷桓
.
中国专利
:CN110473870A
,2019-11-19
[8]
半导体存储器装置和操作半导体存储器装置的方法
[P].
金经纶
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机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
金经纶
;
吴伦娜
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机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
吴伦娜
;
辛昊炫
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机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
辛昊炫
;
李载镐
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机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
李载镐
.
韩国专利
:CN112216332B
,2025-04-29
[9]
半导体存储器装置和操作半导体存储器装置的方法
[P].
金基兴
论文数:
0
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金基兴
;
金贤起
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金贤起
;
金俊亨
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金俊亨
;
朴晟喆
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朴晟喆
;
柳睿信
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柳睿信
.
中国专利
:CN114078510A
,2022-02-22
[10]
半导体存储器装置和操作半导体存储器装置的方法
[P].
赵硕进
论文数:
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机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
赵硕进
;
吴台荣
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机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
吴台荣
;
朴廷桓
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机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
朴廷桓
.
韩国专利
:CN110473870B
,2025-02-11
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