半导体存储器装置和操作该半导体存储器装置的方法

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专利类型
发明
申请号
CN202110332456.8
申请日
2021-03-29
公开(公告)号
CN114067886B
公开(公告)日
2025-09-26
发明(设计)人
崔亨进
申请人
爱思开海力士有限公司
申请人地址
韩国京畿道
IPC主分类号
G11C16/10
IPC分类号
G11C16/34 G11C16/04
代理机构
北京三友知识产权代理有限公司 11127
代理人
刘久亮;黄纶伟
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体存储器装置和操作该半导体存储器装置的方法 [P]. 
崔亨进 .
中国专利 :CN114067886A ,2022-02-18
[2]
半导体存储器装置以及操作该半导体存储器装置的方法 [P]. 
李宗勋 .
中国专利 :CN113689894A ,2021-11-23
[3]
半导体存储器装置及操作该半导体存储器装置的方法 [P]. 
李熙烈 .
中国专利 :CN110534148A ,2019-12-03
[4]
半导体存储器装置以及操作该半导体存储器装置的方法 [P]. 
李宗勋 .
韩国专利 :CN113689894B ,2024-12-31
[5]
半导体存储器装置和半导体存储器装置的操作方法 [P]. 
伊戈尔·沃茨佐夫 ;
黄荣南 ;
金镇民 ;
朴容河 ;
朴贤植 ;
梁宰圆 .
中国专利 :CN111243636A ,2020-06-05
[6]
半导体存储器装置和操作半导体存储器装置的方法 [P]. 
金经纶 ;
吴伦娜 ;
辛昊炫 ;
李载镐 .
中国专利 :CN112216332A ,2021-01-12
[7]
半导体存储器装置和操作半导体存储器装置的方法 [P]. 
赵硕进 ;
吴台荣 ;
朴廷桓 .
中国专利 :CN110473870A ,2019-11-19
[8]
半导体存储器装置和操作半导体存储器装置的方法 [P]. 
金经纶 ;
吴伦娜 ;
辛昊炫 ;
李载镐 .
韩国专利 :CN112216332B ,2025-04-29
[9]
半导体存储器装置和操作半导体存储器装置的方法 [P]. 
金基兴 ;
金贤起 ;
金俊亨 ;
朴晟喆 ;
柳睿信 .
中国专利 :CN114078510A ,2022-02-22
[10]
半导体存储器装置和操作半导体存储器装置的方法 [P]. 
赵硕进 ;
吴台荣 ;
朴廷桓 .
韩国专利 :CN110473870B ,2025-02-11