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レジスト上層膜用組成物およびこれを用いたパターン形成方法[ja]

被引：0
申请号：
JP20240227396
申请日：
2024-12-24
公开(公告)号：
JP2025138566A
公开(公告)日：
2025-09-25
发明(设计)人：
申请人：
申请人地址：
IPC主分类号：
G03F7/11
IPC分类号：
C08F212/14 C08F220/16 C08F220/26 G03F7/004 H01L21/027
代理机构：
代理人：
法律状态：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
共 50 条
[1]
レジスト下層膜用組成物およびこれを用いたパターン形成方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP2025170762A ,2025-11-19
[2]
レジスト下層膜用組成物およびこれを用いたパターン形成方法[ja] [P]. 
CHOI YOOJEONG ;
KIM SEONGJIN ;
BAEK JAEYEOL ;
JIN HWAYOUNG ;
KWON SOONHYUNG .
日本专利 :JP2024024583A ,2024-02-22
[3]
レジスト下層膜用組成物およびこれを用いたパターン形成方法[ja] [P]. 
JIN HWAYOUNG ;
CHOI YOOJEONG ;
BAEK JAEYEOL ;
KWON SOONHYUNG ;
KIM SEONG JIN ;
CHO A-RA .
日本专利 :JP2025026346A ,2025-02-21
[4]
レジスト下層膜用組成物、およびこれを用いたパターン形成方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP2025169227A ,2025-11-12
[5]
レジスト下層膜用組成物およびこれを用いたパターン形成方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP2023549846A ,2023-11-29
[6]
レジスト下層膜用組成物およびこれを用いたパターン形成方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP2022519360A ,2022-03-23
[7]
レジスト下層膜用組成物およびこれを用いたパターン形成方法[ja] [P]. 
LEE EUNSU ;
BAEK JAEYEOL ;
HWANG BYEONG ;
JIN HWAYOUNG ;
KIM SU-JEONG ;
KIM SEONG JIN ;
CHO A-RA ;
CHOI YOOJEONG ;
JUNG SUNGWOO ;
LIM CHANGMO ;
KWON SOONHYUNG .
日本专利 :JP2025071799A ,2025-05-08
[8]
レジスト上層膜用組成物、及びこれを用いたパターン形成方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP2025138572A ,2025-09-25
[9]
レジスト上層膜用組成物およびこれを利用したパターン形成方法[ja] [P]. 
HA KYOUNGJIN ;
PARK HYEON ;
NAMGUNG RAN ;
SONG DAESEOK .
日本专利 :JP2025106188A ,2025-07-15
[10]
レジスト下層膜組成物およびこれを利用したパターン形成方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP2016524171A ,2016-08-12
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