一种碱金属离子插层过渡金属硫族化合物及其制备方法和应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202310438780.7

申请日：

2023-04-23

公开(公告)号：

CN116621218B

公开(公告)日：

2025-10-10

发明(设计)人：

黄庆高琳李勉

申请人：

宁波杭州湾新材料研究院中国科学院宁波材料技术与工程研究所

申请人地址：

315000 浙江省宁波市杭州湾新区众创园众创一路

IPC主分类号：

C01G33/00

IPC分类号：

C01G35/00

代理机构：

宁波市鄞州盛飞专利代理事务所(特殊普通合伙) 33243

代理人：

洪珊珊

法律状态：

授权

国省代码：

北京市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-10	授权	授权

共 50 条

[1]

一种NaOH插层过渡金属硫族化合物及其制备方法和应用 [P].

赖晓芳 ;

任宇蓉 ;

简基康 ;

郭旻皓 .

中国专利 :CN110615411A ,2019-12-27

[2]

掺杂型过渡金属硫族化合物薄膜及其制备方法和应用 [P].

刘碧录 ;

赖泳爵 ;

蔡正阳 .

中国专利 :CN113201723B ,2021-08-03

[3]

一种过渡金属硫族化合物薄层材料及其制备方法和应用 [P].

刘碧录 ;

吴沁柯 ;

农慧雨 ;

唐磊 ;

成会明 .

中国专利 :CN114855144A ,2022-08-05

[4]

一种过渡金属硫族化合物薄层材料及其制备方法和应用 [P].

成会明 ;

蔡正阳 ;

赖泳爵 ;

刘碧录 .

中国专利 :CN110257800B ,2019-09-20

[5]

一种层状过渡金属硫族化合物及其制备方法与应用 [P].

李勉 ;

黄庆 ;

高琳 .

中国专利 :CN118164532A ,2024-06-11

[6]

一种过渡金属硫族化合物及其制备方法和应用 [P].

孙永福 ;

徐嘉麒 ;

谢毅 .

中国专利 :CN108569678A ,2018-09-25

[7]

一种利用激光快速制备过渡金属硫族化合物的方法 [P].

陈耿旭 ;

郭太良 ;

胡海龙 ;

叶芸 ;

周雄图 ;

陈惠鹏 ;

杨尊先 ;

李福山 ;

张永爱 .

中国专利 :CN106835062A ,2017-06-13

[8]

一种多孔层状过渡金属硫族化合物及其制备方法和应用 [P].

王程 ;

徐伟明 ;

郑慧琳 ;

章鹏飞 ;

沈鸿云 ;

李小玲 .

中国专利 :CN111530480B ,2020-08-14

[9]

一种过渡金属硫族化合物薄膜及其制备方法和用途 [P].

谢黎明 ;

赵朝阳 ;

王新胜 ;

周芮 .

中国专利 :CN109824098A ,2019-05-31

[10]

过渡金属硫族化合物单晶及其制备方法 [P].

时玉萌 .

中国专利 :CN113249793B ,2021-08-13

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