一种基于SOI工艺的低功耗压控振荡器

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202511293051.2
申请日
2025-09-11
公开(公告)号
CN120785295A
公开(公告)日
2025-10-14
发明(设计)人
张海金 李臻 张洵颖 崔媛媛 赵晓冬
申请人
西北工业大学
申请人地址
710072 陕西省西安市碑林区友谊西路127号
IPC主分类号
H03B5/12
IPC分类号
H03B5/04
代理机构
重庆三航专利代理事务所(特殊普通合伙) 50307
代理人
万文会
法律状态
实质审查的生效
国省代码
陕西省 西安市
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共 50 条
[1]
一种基于SOI工艺的低功耗抗辐射正交压控振荡器 [P]. 
杨帆 ;
张洵颖 ;
李臻 ;
崔媛媛 ;
赵晓冬 .
中国专利 :CN120768251A ,2025-10-10
[2]
一种基于SOI工艺的低功耗抗辐射正交压控振荡器 [P]. 
杨帆 ;
张洵颖 ;
李臻 ;
崔媛媛 ;
赵晓冬 .
中国专利 :CN120768251B ,2025-11-07
[3]
低功耗宽带压控振荡器 [P]. 
樊祥宁 ;
李斌 ;
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[4]
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[5]
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[6]
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[7]
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[8]
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[9]
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[10]
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