存储单元、存储阵列、存储器及电子设备

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202410425694.7
申请日
2024-04-09
公开(公告)号
CN120786869A
公开(公告)日
2025-10-14
发明(设计)人
呼翔 董耀旗 何超 刘明山 何子芳 许俊豪
申请人
华为技术有限公司
申请人地址
518129 广东省深圳市龙岗区坂田华为总部办公楼
IPC主分类号
H10B10/00
IPC分类号
代理机构
北京中博世达专利商标代理有限公司 11274
代理人
申健
法律状态
公开
国省代码
广东省 深圳市
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共 50 条
[1]
存储单元、存储器和电子设备 [P]. 
戴瑾 ;
朱正勇 .
中国专利 :CN116193862B ,2024-03-08
[2]
存储阵列、存储器及电子设备 [P]. 
柴泾睿 ;
支选开 ;
曾亮宇 ;
梁星 ;
郭炜 .
中国专利 :CN120676622A ,2025-09-19
[3]
存储单元、存储阵列及其制备方法、存储器和电子设备 [P]. 
张嘉炜 ;
罗时江 ;
林晓昱 ;
宋爱民 ;
杨伟 .
中国专利 :CN120825929A ,2025-10-21
[4]
一种存储单元、存储阵列、存储器及电子设备 [P]. 
王啸 ;
苏笛清 ;
赵伟杰 ;
李绍锐 ;
吕杭炳 .
中国专利 :CN120877806A ,2025-10-31
[5]
存储单元、存储器、存储器的制备方法及电子设备 [P]. 
朱正勇 ;
康卜文 ;
王祥升 ;
戴瑾 ;
王桂磊 ;
赵超 .
中国专利 :CN116347889B ,2024-01-12
[6]
存储单元、存储器、存储器的制备方法及电子设备 [P]. 
朱正勇 ;
康卜文 ;
戴瑾 ;
王祥升 ;
王桂磊 ;
赵超 .
中国专利 :CN118678653A ,2024-09-20
[7]
存储单元、存储结构、存储阵列及电子设备 [P]. 
戴瑾 .
中国专利 :CN119730234A ,2025-03-28
[8]
SRAM存储单元、存储阵列及存储器 [P]. 
王林 .
中国专利 :CN105336363A ,2016-02-17
[9]
SRAM存储单元、存储阵列及存储器 [P]. 
王林 .
中国专利 :CN105206298B ,2015-12-30
[10]
SRAM存储单元、存储阵列及存储器 [P]. 
王林 .
中国专利 :CN105336364A ,2016-02-17