一种异质结晶体管的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411375134.1

申请日：

2024-09-29

公开(公告)号：

CN119300371B

公开(公告)日：

2025-09-30

发明(设计)人：

刘丙永黄景丰陈曦

申请人：

华虹半导体（无锡）有限公司上海华虹宏力半导体制造有限公司

申请人地址：

214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号

IPC主分类号：

H10D10/01

IPC分类号：

H10D10/80

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

戴广志

法律状态：

公开

国省代码：

江苏省无锡市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-01-10	公开	公开
2025-09-30	授权	授权
2025-01-28	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 10/01申请日:20240929

共 50 条

[1]

一种异质结晶体管的制造方法 [P].

刘丙永 ;

黄景丰 ;

陈曦 .

中国专利 :CN119300371A ,2025-01-10

[2]

锗硅异质结晶体管的制造方法 [P].

刘丙永 ;

陈曦 ;

黄景丰 ;

杨继业 .

中国专利 :CN115394838A ,2022-11-25

[3]

锗硅异质结晶体管的制造方法 [P].

刘丙永 ;

陈曦 ;

黄景丰 ;

杨继业 .

中国专利 :CN115394838B ,2025-08-08

[4]

锗硅异质结晶体管的制造方法 [P].

刘丙永 ;

陈曦 ;

黄景丰 ;

杨继业 .

中国专利 :CN115498017B ,2025-08-12

[5]

锗硅异质结晶体管的制造方法 [P].

刘丙永 ;

陈曦 ;

黄景丰 ;

杨继业 .

中国专利 :CN115498017A ,2022-12-20

[6]

锗硅异质结晶体管及其制备方法 [P].

刘丙永 .

中国专利 :CN115394837A ,2022-11-25

[7]

锗硅异质结晶体管及其制备方法 [P].

刘丙永 .

中国专利 :CN115394837B ,2025-12-09

[8]

异质结晶体管及其制造方法 [P].

郭俊植 ;

韩釉大 ;

李宽铉 ;

竹谷元伸 ;

郑暎都 .

中国专利 :CN104037081A ,2014-09-10

[9]

锗硅异质结晶体管的制备方法 [P].

包赛赛 ;

马寒骏 ;

王勇 ;

卢明辉 ;

周康 ;

杨德明 ;

杜明锋 ;

张守龙 .

中国专利 :CN118448262A ,2024-08-06

[10]

一种高压异质结晶体管 [P].

汪志刚 ;

王冰 ;

孙江 ;

樊冬冬 ;

杨大力 ;

王亚南 .

中国专利 :CN105336771A ,2016-02-17

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